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pnp型SiGe HBT的电流增益与Ge组分研究
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《微电子学与计算机》2003年 第6期20卷 8-11,20页
作者：王喜媛 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇西安电子科技大学微电子研究所西安710071 
在进行pnp型SiGe HBT的设计时,通过改变Ge组分而改变能带结构,而获得较高的电流增益。文章对基区中的Ge组分分布三种形式:三角形、梯形、矩形进行计算机模拟并进行结果分析,认为其它条件相同时,梯形分布的pnp SiGe HBT的放大系数最大,...
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