摘要：为了解决SRAM容量小、体积大、价格高的问题,在芯片的设计中通常会限制SRAM的面积大小,而作为替代方案的DRAM又存在速度慢和接口复杂等问题,无法满足复杂需求。本文提出一种采用FPGA的psram进行图像采集与显示方案。通过拼接CMOS接收到的数据并将其缓存到psram中,最后由USB2.0传输至上位机实现图像采集、实时显示功能。经过FPGA的板级调试,该设计可以实现对数据的缓存、显示功能,且具有体积小、接口简单和容量大的优点。

摘要：随着信息科技的发展,需要缓存大量的数据,IoT芯片内部的SRAM存储资源需求也逐渐变大。SRAM价格较高、容量相对较小,在芯片设计中会限制SRAM的面积,而psram存储技术正好弥补这些不足,使其得到广泛应用。由此,本文设计了基于AHB的串行psram高速访问方案,可实现对SQPI接口的psram不同模式的控制,高效的完成读写操作。该设计经过了仿真验证以及FPGA验证测试,可实现对psram的访问需求。

摘要：伪静态（Pseudostatic）存储器的设计是用于直接替代静态随机存储器（SRAM），即使内部存储器的操作并非静态。商业化的两种伪静态存储器分别是伪静态随机存储器（psram）及铁电随机存储器（F—RAM）。psram针对慢速SRAM应用；当纯粹计算每个位的成本时具有竞争优势。F-RAM针对电池后备SRAM（即BBSRAM）应用，在系统成本及产品供应方面具有竞争力。F-RAM还有一个目标用途是用于非易失性数据获得，在这种应用中可以提供卓越的性能。本文将解释这两种伪静态存储器如何实现其功能及有助于简化系统设计人员的工作。

摘要：伪静态存储器的设计是用于直接替代静态随机存储器，即使内部存储器的操作并非静态。商业化的两种伪静态存储器分别是伪静态随机存储器及铁电随机存储器（FRAM）。本文所描述的技术与电路可用于设计伪静态存储器，可直接替代静态存储器。通过移动电话中psram的快速采用，及从BBSRAM向FRAM的持续迂移。

摘要：随着遥测遥感采集技术的迅速发展,大批量采集数据的有效传输已经成为当前无线遥测领域研究的热点问题,本设计基于NiosⅡ软核技术,能够同时完成两路最高速度不大于240Mbps的LVDS图像数据的解码、接收,并将数据缓存到由两片16位psram并联形成的缓存模块中,并且通过一路PCM信号进行转发,码率大小为1.26MHz,测试结果表明系统工作稳定,性能可靠,具有一定的实用性。

摘要：意法半导体（ST）日前推出了新一代手机专用的NOR闪存子系统。新产品在一个装内整合了256Mbit和512Mbit单片NOR闪存及伪静态随机存取存储品（psram）或小功率同步动态随机存取存储品（LPSDRAM）。它们专为第三代手机应用设计，采用90nm工艺开发制造，代码执行速度更快、价格更低廉。

摘要：致力于简化系统级存储设备的验证和测试的业界组织PISMO顾问委员会宣布．PISMO2.0标准已通过审批。利用这个新规范版本．设计者可以方便地在不同厂商提供的开发平台上测试多种样储设备。目前．该标准已经能够支持同步DRAM（SORAM），双倍数据速率（DDR）和DDR2，NAND，Spansion MirrorBit ORNAND闪存、DiskonChip、OneNAND以及串行外设接口（SPI）存储器。该规范以前为NOR闪存、SRAM和psram定义了一个接口。