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1200 V IGBT的性能优化: 收藏
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引用; 《电子与封装》2016年第11期16卷 44-47页; 作者：李宏上海先进半导体制造股份有限公司上海200233; 主要研究1200 V IGBT器件的性能优化方法。理论分析了IGBT结构参数与其主要性能的关系,按1200 V IGBT器件击穿电压和饱和压降的设计要求,重点讨论了FS、JFET注入、延长JFET退火时间和减小pring注入剂量对IGBT器件击穿电压(BV)和饱和压降...; 主要研究1200 V IGBT器件的性能优化方法。理论分析了IGBT结构参数与其主要性能的关系,按1200 V IGBT器件击穿电压和饱和压降的设计要求,重点讨论了FS、JFET注入、延长JFET退火时间和减小pring注入剂量对IGBT器件击穿电压(BV)和饱和压降(Vdson)的影响,最终得到了满足器件设计要求的最佳性能参数。; 来源：详细信息评论

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