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一种基于65 nm cMOS工艺的10位10 MS/s SAr ADc: 收藏
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引用; 《微电子学》2017年第3期47卷 298-303页; 作者：邓红辉汪江周福祥合肥工业大学微电子设计研究所合肥230009; 基于SMIc 65nm cMOS工艺,设计了一种10位10 MS/s逐次逼近型模数转换器(SAr ADc)。采用全差分的r-c组合式dac网络结构进行设计,提高了共模噪声抑制能力和转换精度。与全电容结构相比,r-c组合式dac网络结构有效减小了版图面积。dac中各开...; 基于SMIc 65nm cMOS工艺,设计了一种10位10 MS/s逐次逼近型模数转换器(SAr ADc)。采用全差分的r-c组合式dac网络结构进行设计,提高了共模噪声抑制能力和转换精度。与全电容结构相比,r-c组合式dac网络结构有效减小了版图面积。dac中各开关的导通采用对称的开关时序,使比较器差分输入的共模电平保持为固定值,降低了比较器的失调电压,提高了ADc的线性度。在2.5V模拟电源电压和1.2V数字电源电压下,使用Spectre进行仿真验证,测得DNL为0.5LSB,INL为0.8LSB;在输入信号频率为4.990 2 MHz,采样频率为10 MHz的条件下,测得电路的有效位数为9.63位,FOM为0.04pJ/conv。; 来源：详细信息评论

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