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400nm IMPL radfet剂量计的性能研究: 收藏
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引用; 《高能物理与核物理》2007年第3期31卷 283-287页; 作者：宫辉李金杨世明邵贝贝龚光华李裕熊谢小希清华大学工程物理系北京100084 中国科学院高能物理研究所北京100049 中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230029; radfet多通道探测器将要用来测量北京谱仪BESⅢ中量能器附近的累计剂量．探测器的技术关键是对400nm IMPL radfet剂量计具体性能的了解和掌握．本工作以60Coγ源为辐射源,实验研究了400nm IMPL radfet剂量计的各项性能,包括radfet通道...; radfet多通道探测器将要用来测量北京谱仪BESⅢ中量能器附近的累计剂量．探测器的技术关键是对400nm IMPL radfet剂量计具体性能的了解和掌握．本工作以60Coγ源为辐射源,实验研究了400nm IMPL radfet剂量计的各项性能,包括radfet通道间的一致性、测量累积剂量时的辐照强度相关性以及退火特性等,同时也讨论了测量数据的拟合方法,为该类型radfet剂量计在radfet多通道探测器的设计、建造和其他方面的应用提供了实验基础．; 来源：详细信息评论

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