摘要：在对传统的振荡器电路的分析比较基础上,基于振荡器的基本工作原理,结合误差比较器技术,提出了一种新型高性能低功耗的rc振荡器。利用CSMC的DPDMBsim3模型和Cadence的Spectre仿真器对该电路进行了模拟和仿真,结果表明该电路与传统的振荡器相比具有精度高、功耗低的优点。最后对该电路进行版图设计,版图面积为70.5×62.5μm2。

摘要：利用设计仿真软件对Mltisim进行rc振荡器的教学进行设计,通过观察负反馈、正反馈回路参数的调整对应的仿真输出波形,分析、了解元器件参数的改变对电路性能的影响,使学生直观熟练掌握电路设计的基本理念,培养学生的电路应用设计能力。

摘要：基于SMIC 55 nm CMOS工艺,设计并制备了工作在1.2 V电源电压下的超低功耗rc振荡器。该振荡器主要包括运算放大器、压控振荡器（VCO）、基准电流源、低温漂电阻和可修调开关电容以及非交叠时钟产生电路。该振荡器用工作在亚阈值区的运算放大器和VCO取代了传统单比较器型rc振荡器中的比较器,显著降低了功耗;用开关电容取代了充放电电容,并且将输出时钟的频率转换成了阻抗,与参考电阻进行比较。利用负反馈环路锁定了输出时钟信号频率,从而得到了稳定的时钟信号。测试结果表明,1.2 V电源电压、27℃环境下,该rc振荡器的输出时钟信号频率为32.63 kHz,功耗为65 nW;在-10-100℃,其温度系数为1.95×10（-4）/℃;在0.7-1.8 V电源电压内,其电源电压调整率为3.2%/V。芯片面积为0.168 mm2。

摘要：本文设计了一种具有较强的电源电压抑制能力和良好的温度特性的rc振荡电路,它由稳压源电路和rc振荡电路组成,稳压源电路输出不受电源电压和温度影响的调制电平VREG,给rc振荡电路提供工作电压以产生稳定的振荡频率.该电路特点是:结构简单,功耗低,振荡频率精确,受电源电压和环境温度影响较低,基于CSMC 0.35μm CMOS工艺设计,完成Hspice仿真.

摘要：基于华虹0.18μm CMOS工艺,设计了一种无比较器的低温漂高精度rc振荡器。通过调整电流源的负温度系数电流补偿MOSFET阈值电压的温漂,保证输出频率在大温度范围内的高稳定性。通过提高电流源输出阻抗,提高振荡器的电压稳定性。采用数字修调技术矫正工艺偏差引起的频率误差。该振荡器由启动电路、CTAT电流源电路、电流镜电路、修调电路、竞争冒险消除电路和rc振荡电路六部分构成。因为没有采用比较器结构,所以在该振荡器中,不会出现由于比较器的传输延时与输入失调电压引起的非理想因素。采用Cadence进行电路仿真与验证,后仿真结果表明,该振荡器的典型频率为2 MHz,起振时间为5.1μs。在3~5 V电源电压变化范围内,频率偏差均在±0.55%以内;在-40~125℃温度范围内,输出频率随温度的变化率均在±1.2%以内,可适用于高精度的数模混合信号芯片。

摘要：针对高稳定性MCU的应用需求,设计了一种低温度灵敏度的rc振荡器。采用平均电压反馈电路降低比较器延迟对振荡器输出频率的影响,采用温度补偿技术补偿温度对振荡器输出频率的影响,实现rc振荡器高稳定性输出。设计了一种选频网络,实现宽频率范围内高精度输出,满足MCU对多种时钟频率的需求。rc振荡器基于SMIC 110 nm CMOS工艺设计,并完成Cadence Spectre后仿真验证。结果表明,在1.2 V电源电压、TT工艺角、27℃室温环境下,rc振荡器输出频率为16 MHz,动态功耗为47μW;在1~1.3 V的电源电压变化范围内,输出频率的变化范围在±0.19%以内;在-30~120℃温度变化范围内,输出频率的变化范围在±0.13%以内。同相似结构rc振荡器相比,该rc振荡器的输出频率受温度影响较低,稳定性较高,适合高稳定性MCU的应用。

摘要：提出了一种性能较高的具有同步功能的rc振荡器。相比传统rc振荡器,通过控制器外围SYN引脚接收同步开关频率信号来设定振荡器的周期,设计出工作在同步模式下的rc振荡器。仿真结果表明,在典型参数情况下,该振荡器频率在140~450 kHz范围内能跟随外部同步频率。通过对外围电阻电容进行设置,在-40℃-125℃温度范围内,振荡器能够正常工作,可以应用于工作在同步模式下的控制器。

摘要：设计了一种采用0.18μm CMOS工艺制作的基于斩波拓扑的高精度rc振荡器。该结构对比较器失调有较好的抑制效果,并补偿了比较器传输延时对输出时钟频率的影响,达到了较好的温度特性。同时使用LDO对振荡器的主体电路供电,有效抑制了电源电压波动对输出频率的影响。另外该振荡器使用电容修调网络,减小了工艺漂移对中心频率的影响。仿真结果表明,所设计的振荡器在不同工艺角下均可以通过修调将频率校准至典型值2 MHz。在-40~125℃的温度范围内,输出频率的波动仅为0.87%。在3~6 V的电源电压范围,输出频率的波动仅为0.21%。与同类型的片上rc振荡器相比,该电路对温度、电源电压和工艺的漂移有更好的抑制作用。

摘要：基于传统rc振荡器的理论分析,采用电阻串分压提供参考电压的方式,设计了一种低电源电压灵敏度的振荡器。基于HHNEC 0.5μm BiCMOS工艺,完成了HSPICE仿真。仿真结果显示,该振荡器输出一个频率为63kHz、占空比为50%的方波信号,当电源电压在4.5～5.5V之间变化时,频率变化范围在±0.52%内,有效降低了电源电压对振荡频率的影响。该振荡器可应用于开关电源芯片。

摘要：基于LLC串联谐振芯片的应用,提出了一种线性rc压控振荡器。在传统rc振荡器的电容上叠加一个压控电流源,实现了频率受电压线性控制。仿真结果表明,该电路在典型参数下振荡器频率范围为140～280kHz,在-40℃～125℃温度范围内可保持正常工作,且可通过外部电阻电容进行设置。该振荡器已被应用于脉冲频率调制模式下工作的LLC串联谐振芯片。