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SiC-MOSFET开关模块rc缓冲吸收电路的参数优化设计
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《控制与信息技术》2021年 第2期 61-66页
作者：施洪亮 罗德伟 王佳佳 谭渺 杨奎 周帅 饶沛南株洲中车时代电气股份有限公司湖南株洲412001 
针对SiC-MOSFET开关模块开关速度快、开关电压尖峰高、缓冲吸收电路参数难以确定的问题,文章提出一种rc缓冲吸收电路参数快速优化设计方法。该方法基于包含寄生参数的电路分析模型并利用双脉冲电路,通过不同的缓冲吸收电路参数曲线来确...
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