摘要：　高压集成电路是将高压器件和低压控制电路集成在同一芯片上的集成电路,高压集成电路的研究与发展,主要是高压器件、高压集成电路工艺以及设计技术的发展。文章提出了一种适用于高压集成电路的新型LDMOS器件,并对该器件结构进行了耐压分析,给出了该器件的击穿特性、等势线和电流线等模拟曲线。对不同参数模拟的曲线进行了分析和比较。结果表明,该结构具有比较高的击穿电压,并且工艺简单,受工艺参数波动的影响较小,不失为一种提高集成电路耐压的新途径。

摘要：针对超薄层高压SOI线性变掺杂(Linear Varied Doping,LVD)LDMOS器件,进行了耐压模型和特性的研究。通过解泊松方程,得到超薄高压SOI LVD LDMOS的resurf判据,有助于器件耐压和比导通电阻的设计与优化。通过对漂移区长度、厚度和剂量,以及n型缓冲层仿真优化,使器件耐压与比导通电阻的矛盾关系得到良好的改善。实验表明,超薄层高压SOI LVD LDMOS的耐压达到644V,比导通电阻为24.1Ω·mm2,击穿时埋氧层电场超过200V/cm。

摘要：基于分区求解二维泊松方程,提出了阶梯掺杂漂移区SOI高压器件的浓度分布优化模型。借助此模型,对阶梯数从0到无穷时SOIresurf结构的临界电场和击穿电压进行了研究。结果表明,对于所研究的结构,一阶或二阶掺杂可以在不提高工艺难度的情况下获得足够高的击穿电压,因而可以作为线性漂移区的理想近似。解析结果、MEDICI仿真结果和实验结果非常吻合,证明了模型的正确性。

摘要：研究了一种N型50 V RFLDMOS器件的结构。该类型器件对击穿电压BV和导通电阻R_(DSon)等直流参数具有较高要求,一般采用具有两层场板的resurf结构。通过Taurus TCAD仿真软件对器件最关键的两个部分即场板和N型轻掺杂漂移区进行优化设计,在提高器件击穿电压BV的同时,降低了其导通电阻R_(DSon)。最终仿真得到的击穿电压BV为118 V,导通电阻R_(DSon)为23?·mm。

摘要：衡量HVIC工艺的一个重要的标准是其内的主要单元LDMOS的参数是否合乎工艺设计的要求。本文简略分析了700V P阱HVIC工艺中的LDMOS结构,并对LDMOS的参数略加分析。

摘要：通过器件仿真软件Silvaco对带单层浮空场板的高压LDMOS(Lateral Double-diffused MOSFET)器件进行了设计与优化。仿真结果表明:对于击穿电压为600 V的resurf(reduced surface field)LDMOS器件,场板能够有效地优化器件表面电势分布,降低电场峰值,提高器件的击穿电压。其中场板的数量、长度等参数对高压resurf-LDMOS器件的耐压有较大影响。并且场板结构增加了double resurf器件P-top剂量的容差范围,影响了器件的导通电阻。