摘要：针对射频多端口器件微波测试需求,基于SOLT校准原理设计了一种工作频率在DC~12 GHz范围内、基于rf mems开关的四端口电子校准件。数值仿真结果表明,在短路状态下,器件的回波损耗小于0.15 dB;在直通状态下,器件的插入损耗小于0.5 dB,端口之间的隔离度大于20 dB;在开路状态下,器件的回波损耗小于0.3 dB,端口之间的隔离度大于25 dB;同时采用微表面加工工艺,利用磁控溅射工艺对负载电阻进行了制备,其测试结果约为50Ω,符合设计要求。设计的基于rf mems开关的四端口校准件,具有射频性能好、体积小、易于集成等优点,能够满足X波段微波多端口器件在片测试的应用需求。

摘要：本文针对一字型悬臂梁rf mems开关,提出了两种降低驱动电压rf mems开关的方法,分别为:增大局部驱动面积和降低弹性系数。根据这两种方法设计了4种形状的悬臂梁开关,分别为增大局部驱动面积的十字型梁,降低弹性系数的三叉戟型、蟹钳型和折叠型梁。在梁的长度、厚度和初始间隙等参数一致的情况下,通过CMOSOL软件建模仿真得到了这4种悬臂梁的驱动电压,分别为7.2 V、5.6 V、3.8 V和3.6 V。相比于驱动电压为9 V的一字型悬臂梁,优化后的这4款开关可以降低驱动电压。并且低弹性系数方面,比增大局部驱动面积的开关效率要高。

摘要：设计实现了一种晶圆级封装的三位mems数控衰减器,工作频段DC~15 GHz,衰减范围0~35 dB,步进5 dB。衰减器采用mems工艺实现,信号传输采用共面波导(CPW)结构,6个直接接触式悬臂梁mems开关对称放置实现不同衰减量的切换,每个开关带有三个触点,电阻网络采用T型结构,整个衰减器实现晶圆级封装。测试结果显示,DC~15 GHz频段内实现了8个衰减态,衰减器插入损耗小于1.7 dB,回波损耗小于-15 dB,衰减平坦度小于±5%,功耗几乎为零。芯片尺寸为2.7 mm×2.7 mm×0.8 mm。