摘要：RFMicro Devices,Inc.日前宣布,其用于65 V操作的GaN1功率半导体处理技术已通过认证。这种高可靠性的功率半导体工艺技术支持rfmd基于GaN的功率半导体产品设计,代工客户可通过rfmd代工服务业务部门获得该技术。

摘要：高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RFMicro Devices日前宣布,扩展其rfmd业界领先的氮化镓工艺技术,包括功率转换应用中专为高电压功率器件而优化的新技术。rfmd推出的最新氮化镓工艺技术一rGaN-HVTM-可在功率转换应用（1至50KW）中大幅度降低系统成本和能量消耗。rfmd推出的rGaN-HVTM技术可为器件实现高达900伏特的击穿电压。

摘要：RF micro devices推出了行业第一款绿色GaN基CATV放大器模块。该模块设计用作现有的和下一代CATV基础设施应用中的功率倍增放大器。D10040200PL1和D10040230PL1是混合电路功率倍增放大器模块。

摘要：美国RF Micro Devices公司推出了一种四波段全球移动通信系统/通用分组无线业务 (GSM/QPRS)蜂窝手机用高集成发射组件(TXM)。这种型号为RF3177的发射组件具有从手机功率放大器到手机天线各项发射机功能。 RF3177的尺寸为9×10×1.5mm,薄片式封装,成本低。它有一个四波段GaAs

摘要：日前,高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RF Micro Devices,Inc.宣布扩展其超高效率功率放大器(PA)产品系列,新加入六款4G LTE功率放大器。

摘要：rfmd新推出的RF6575 ZigBee前端模块(FEM)被同Atmel ATmega128RFA1单芯片解决方案相结合,由此创造出ATmega128RFA1参考设计。这款基于ZigBee的高性能解决方案为公共事业和消费领域在监控和节省能源方面提供更多控制。该解决方案主要针对2.4 GHz至2.5GHz

摘要：rfmd宣布推出RF3482前端模块(FEM)。rfmd这款高度集成RF3482单片FEM集成了一单极WiFi功率放大器和一个在2.4 GHz到2.5 Ghz的ISM频段应用的单刀三掷开关(SP3T)。通过集成完整开关功能,RF3482能将WiFi和Bluetooth(R)收到或传达的信号路由给二个晶片系统(SOC)的收发器,其典型的结构设计可在高性能家电和手机或者掌上型的WiFi中应用。另外。

摘要：日前,高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RF Micro Devices,Inc.宣布已通过并生产RF3932,这种无与伦比的75瓦特高效率氮化镓(GaN)射频功率晶体管(UPT)比砷化镓和硅工艺技术的性能更出色。RF3932是继最近140瓦特RF3934推出之后的续推产品,RF3934是rfmd的UPT系列中输出功率最高的器件。rfmd计划在2011年第一季度推出第三个氮化镓UPT器件,以扩大其氮化镓功率晶体管系列。