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基于rtd的新型D锁存器设计: 收藏
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引用; 《浙江大学学报（理学版）》2018年第6期45卷 728-732页; 作者：姚茂群冯杰沈珊瑚杭州师范大学国际服务工程学院浙江杭州311121; 共振隧穿二极管(rtd)作为一种较成熟的量子器件,具有独特的负内阻特性,由rtd组成的单双稳态转换逻辑单元(MOBILE)能够很好地利用该特性进行数字电路设计.基于MOBILE,设计了一种新的rtd输出控制电路.该电路的优点是将rtd的正向和反向电...; 共振隧穿二极管(rtd)作为一种较成熟的量子器件,具有独特的负内阻特性,由rtd组成的单双稳态转换逻辑单元(MOBILE)能够很好地利用该特性进行数字电路设计.基于MOBILE,设计了一种新的rtd输出控制电路.该电路的优点是将rtd的正向和反向电流电压特性相结合,无须使用面积较大的三端器件,电路设计较便捷.采用rtd输出控制电路和HEMT器件,设计了一种新的D锁存器.该D锁存器采用高电平偏置电压,不仅可使MOBILE获得需要的高电平触发方式,而且电路具有自锁特性.HSPICE仿真实验证明,该D锁存器不仅电路结构简单,而且功耗低、速度快.; 来源：详细信息评论

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