摘要：110 GHz宽带同轴s参数标准装置目前在国内尚无成熟产品,该文旨在实现对同轴s参数标准装置的设计。采用的设计方法为解析算法和有限元仿真的结合。解析方法由阻抗与反射系数的递推公式推导而来,并利用Matlab软件进行算法实现,其特点为运算快速但准确度欠佳;有限元仿真利用HFss实现,其特点为消耗资源较多但建模和计算的准确度较高。通过解析方法对关键参数进行设计后在通过有限元仿真考虑产品细节带来的影响,二者的结合实现兼具快速且准确的设计。完成样品生产加工后使用网络分析仪对样品进行测试,测试结果与设计结果能较好吻合,验证设计方法的有效性。

摘要：为进一步提高共面波导与槽线连接的灵活性，设计一种非对称共面波导-槽线转接器．利用基于Mur—PML混合吸收边界条件的时域有限差分法，分别计算了对称共面波导一槽线转接器与非对称共面波导一槽线转接器在3～8GHz的s参数．结果表明：计算结果与实际测试结果吻合较好；非对称共面波导-槽线转接器在设计的灵活性与阻抗匹配方面均优于对称共面波导-槽线转接器．

摘要：根据隔片圆极化器的特点及其s参数的无耗特性,通过对s参数的分析得出了电场与隔片平行端口的驻波是影响其主要技术指标的关键因素,并因此提出了此器件的主要设计原则是除了保证总相移差为90°外,就是降低该端口的反射,也就是保证了等幅条件。设计实例的仿真结果与分析基本符合。

摘要：本文介绍了用重新计算系统误差参数的方法来实现夹具误差修正的基本原理,详细介绍了应用HP85014A有源器件测量软件的主程序,通过研制加工测试夹具和编写相应的修正夹具误差的子程序,以实现测量多种不同外型尺寸的器件的方法。本文给出了编写修正夹具误差子程序的方框图及在设计和使用测试夹具中应考虑的几个问题。最后给出了用我们新设计的测试夹具和相应的夹具误差修正软件得到的测量结果与用HP85041A夹具和HP85014A软件得到的测量结果的对比。

摘要：GaAs等固态微波裸芯片电性能测试需要采用探针将共面波导参考面过渡到同轴参考面。设计制作了用于微波探针校准的GaAs衬底的计量级标准样片,包括sOLT和TRL校准模块,以及匹配传输线、衰减及驻波等验证模块。提出了平衡电桥结构,兼具衰减驻波标准,带内平坦,且工艺适应性好。经过与国外校准片比对,验证了频率覆盖100 MHz^50 GHz,驻波比测量范围:1.1,1.5,2.5,5,10;衰减测量范围:-1 dB,-2 dB,-3 dB,-10 dB,-20dB,-30 dB,-40 dB;匹配负载反射损耗小于-30 dB。同时提取了sOLT校准模块的矢网校准用参数。

摘要：共面微波探针是裸芯片测量信号输入/输出的重要媒介,通过与晶圆片物理接触,建立起测量系统与芯片之间的信号连接通道。为了获得共面微波探针完整准确的s参数,设计并实现了＂两步法＂测量方案,首先在同轴端口进行校准,然后在探针尖端口进行第二步校准。通过与出厂数据进行对比分析,证明了方案的可行性,同时指出在片校准件预校准的重要性。另外,讨论了氧化铝和砷化镓两种材料在片sOLT校准件对于探针s参数提取中的影响,实验显示二者相角偏差达到39.8°,回波损耗呈现规则性的变化,全部测量数据的频段覆盖1-40 GHz,最终给出了优化的测量方案。

摘要：微波集成电路和微波器件的设计需要准确地提取 HFET的小信号等效电路模型参数 .采用带回火的模拟退火算法从 s参数提取 HFET小信号等效电路模型参数 ,得到了高质量的解 .计算结果是全局最优解 ,摆脱了初始值的影响 ,并且克服了局部优化算法遇到的不收敛或收敛到错误解的问题 .利用测量得到的栅电阻 ,计算结果的精度可以进一步提高 .这个算法同样也适用于 HBT。

摘要：本文从砷化镓肖特基势垒场效应晶体管(GaAsMEsFET)大信号模型出发,采用谐波平衡法书出稳态解,获得了大信号s参数。所开发的软件可同时获得大小信号s参数,并在同一smith圆图上显示出来,也可进行增益压缩等特性的分析。该软件已和参数提取、电路分析软件串成一体实现了从GaAs材料器件物理参数出发直接设计出微波单片集成电路(MMIC)的新思路。

摘要：准确计算谐振器间的耦合系数,有助于设计出具有特定频率响应的滤波器,使滤波器的结构布局更加优化。根据耦合谐振器网络模型,利用s参数传输系数幅度曲线和相位曲线上六个特殊点对应的谐振频率计算谐振器间的耦合系数,并在耦合系数的计算中去除了馈线对结果的影响。以发卡微带谐振器为例,给出了使用s参数计算谐振器间耦合系数的具体方法;对间距不同的两个谐振器间耦合系数进行了计算,并与采用在对称面上加电壁、磁壁方法的计算结果进行比较,表明该方法的正确性。

摘要：针对锗硅异质结双极晶体管(siGe HBT)器件的s参数是用于射频前端电路匹配设计的关键参数,提出一种测量siGe HBT器件在多个不同温度下的s参数获取该器件低温s参数的计算方法。首先建立siGe HBT器件在已知直流偏置下的T型小信号电路模型,然后采用常温下测量的器件s参数提取模型中与温度相关性极小的非本征部分元件值作为常量,再测量多个不同温度下的器件s参数构建器件所有本征部分元件参数与温度的近似线性表达式,逐个计算指定低温下所有本征部分元件参数,最后在已知全部参数的T型小信号模型中计算siGe HBT器件在该低温下的s参数。实验显示该方法计算的低温s参数与测试值有良好的一致性。理论上该计算方法适用的最低温度达到-73℃。