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24 Gbit/s 0.2μm PHEMT复接器
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《东南大学学报(自然科学版)》2004年 第3期34卷 289-292页
作者:杨守军 王志功 朱恩 冯军 熊明珍 夏春晓东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 
本文利用Philips公司OMMIC 0 2 μmGaAsPHEMT工艺 ,设计出 2 4Gbit/s的复接器 .应用源极耦合FET逻辑 (scfl) ,使逻辑电路能够在 2 4Gbit/s速率上正常工作 .时钟采用二倍频方案 ,解决了多级复接中的高速时钟问题 .改进异或门拓扑结构实...
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2.5~40Gb/s光收发关键器件芯片技术
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《中国有色金属学报》2004年 第F1期14卷 369-380页
作者:朱恩 王志功 冯军 黄颋 王欢 陈海涛 孟凡生 杨守军 吴春红 仇应华 沈桢 郁伟嘉 王雪艳 程树东 孙玲 费瑞霞 王峻峰 刘欢艳 陈明洁东南大学无线电工程系射频与光电集成电路研究所 
介绍了2.5~40Gb/s的光通信收发器处理芯片的研究情况,芯片功能包括复接器、激光驱动器、前置放大器与限幅放大器、时钟恢复和数据判决电路以及分接器。采用的工艺有0.18/0.25μmCMOS,0.15/0.2μmGaAsPHEMT和2μmGaAsHBT等,采用多项目...
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0.18μmCMOS 10 Gbit/s分接器设计
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《电子工程师》2004年 第3期30卷 5-6,9页
作者:徐阳 冯军东南大学射频与光电集成电路研究所江苏省南京市210096 
分析了分接器的电路原理及系统结构 ,通过比较 ,给出了最优的实现方案。使用TSMC 0 .18μmCMOS工艺设计出了速率为 10Gbit/s的分接器。简要介绍了单元电路的电路结构 ,给出了仿真结果和版图。芯片的电源供电电压为 1.8V ,功耗为 4 0 0mW。
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10Gbit/s0.18μmCMOS光纤通信用数据判决电路设计
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《电子工程师》2004年 第3期30卷 20-22页
作者:陆竞虞 冯军东南大学射频与光电集成电路研究所江苏省南京市210096 
介绍了采用TSMC公司 0 .18μmCMOS工艺设计速率为 10Gbit/s的数据判决电路 ,分析了数据判决电路的系统结构以及单元电路结构 ,给出了仿真结果。该电路采用 + 1.8V电源供电 ,功耗为 10 2mW ,5 0Ω负载上单端输出摆幅 4 0 0mV。整个芯片...
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