摘要：分析了单电子晶体管(SET)和金属氧化物半导体(MOS)的混合器件——setmos所具有的特性,利用补偿原理设计了细胞神经网络(CNN)结构的细胞体电路、分段线性模块、A模板和B模板电路,得到了由setmos构成的CNN具体电路。仿真结果表明,所设计的硬件电路结构简单,静态功耗低,约200nW,有利于进一步提高集成电路的集成度,为相关工程领域的实际应用提供了新方法。

摘要：单电子晶体管（SET）作为一种纳电子器件有着较大的优势，将SET与纳米MOS混合构成的器件（setmos）是目前研究的热点之一。setmos作为一种新的混合器件，在结合了两者优点的同时，具有与SET一样的库仑振荡特性和MOS高增益等特性。文章基于一种sETM0s混合结构的电压电流特性的数学模型，设计并实现了一种setmos二阶带通滤波器，阐述了这种setmos带通滤波器的结构、工作条件、性能、参数和特点，并用PSpice对其传输特性进行了仿真验证，结果证明，setmos在其通带范围内具有良好的带通幅频特性，且具有低电压、低功耗和高频的特点。