摘要：自20世纪80年代以来,微波能的应用几乎扩展到了化学、材料、医学等各个领域。而微波能的应用实际上都直接或间接地与物质的介电特性相关。通过了解物质介电特性,就能研究它们对于微波的吸收和反射情况。因此,微波能应用中的介电系数测量显得尤为重要。而传统的测量方法实现在线测量时有一定的局限性,针对上述问题设计了新型的测量装置,结合神经网络算法对物质的介电系数进行了仿真计算,得到了一些有参考价值的数据,这些工作将对微波能的应用提供帮助。

摘要：W波段(75～110GHz)的电磁波大气吸收率低、波长短、可用频带宽,在雷达、通信等领域应用广泛.文章设计了一种W波段基片集成波导(substrate integrated waveguide,siw)背腔缝隙天线,-10dB的阻抗带宽达到28.6%(78.93～105.24GHz),覆盖了W波段75%的频带范围.天线采用双层基片结构.上层为siw谐振腔及四条辐射缝隙构成的谐振辐射单元,谐振腔内同时存在TM_(130)与TM_(310)混合模、TM_(320)模以及TM_(330)模三种高次模,和辐射缝隙一起形成多谐特性,实现带宽拓展;底层为通过耦合缝隙馈电的集成波导,易于扩展成平面网络,构建高增益背腔缝隙天线阵列.该天线频带宽、交叉极化低、剖面低、易于与平面微波电路集成、加工成本低,具有良好的应用前景.

摘要：提出了一种基于siw的连续横向结CTS(Continuous Transverse Stub)天线设计方法。这种方法采用固定规格的介质板材,利用标准PCB工艺加工制作,解决了实验室研究中加工精度与研制成本的矛盾,为CTS进一步研究提供了实验手段。设计了一种Ka波段的CTS平板波导缝隙阵列天线。结果表明:46.24mm 46.24mm口径CTS天线阵列增益达到24.3dBi,在34.44GHz-35.49GHz频段内,反射系数S11<-10dB。

摘要：介绍了一种基于LTCC技术的脊基片集成波导(siw)到微带的过渡结构。将传统脊波导到微带过渡的设计思路,运用于基于LTCC技术的基片集成波导(siw)到Rogers5880基片微带的过渡设计中,实现了LTCCsiw到Rogers5880基片微带的宽带过渡。从仿真结果可以看出,在25.2GHz到40GHz的频带内,回波损耗S11小于-15dB,插入损耗优于-0.2dB。

摘要：研究旋磁铁氧体在内场作用下的非线性,设计了一个siw旋磁倍频器。该倍频器采用无源倍频的方式,将一个中心频率19 GHz、带宽500 MHz的输入信号倍频到中心频率38 GHz、带宽1 GHz的输出信号。该旋磁倍频器在输入功率30 dBm的情况下,中心频率处的谐波分量大于20 dBm。设计、仿真分析与实验研究的结果表明:无源旋磁倍频器为提供大功率高效率倍频提供了一种有效的技术手段。

摘要：基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide—siw)是一种新型的高品质因数、低损耗集成波导结构,易于设计和加工,可以广泛应用于微波毫米波集成电路中。由于和传统矩形波导的相似性,很多设计概念可以借用,比如波导功分器、滤波器、天线等,利用该结构设计出一种带阻滤波器,其中心频率为4.85GHz,相对带宽为1.2%,最大衰减为48dB。该滤波器具有体积小,容易加工和集成等优点。

摘要：因为传统波导魔T体积较大,所以不利于集成。为了使魔T体积更小更利于集成,基于基片集成波导(siw)理论,设计了Ka波段平面魔T。下层结构为H-T分支,上层结构为使用耦合缝实现的E-T分支。所设计的siw魔T较传统波导魔T,不但体积小、易于生产和集成,而且E臂、H臂具有天然的隔离特性,方便调谐。利用仿真软件HFSS可以看出,在28.6~30.4GHz,得到的各端口的回波损耗均优于-20 d B,E臂、H臂的隔离优于-43 d B,性能良好。

摘要：在单层结构中,滤波器采用直角耦合方式往往会破坏高次模TE102/TE201场的分布特性,导致场产生恶化,从而影响抑制效果。针对此问题,提出了加载金属微扰通孔的方法扰动场的分布特性,从而修复模式的本征抑制,最终抑制了TE102/TE201模的谐波通带。基于此方法,研究了二阶基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide,siw)带通滤波器的阻带宽度延伸及带外抑制优化的设计,中心频率f_(0)=9 GHz,相对带宽FBW为2.44%,插入损耗低于1.3 dB,回波损耗优于20 dB,阻带延伸至18.93 GHz时,带外抑制优于20 dB。最后,分别设计、制作了三阶、四阶siw带通滤波器进行实物验证,实测的阻带宽度均超过2.05f0,且抑制深度均优于30 dB,验证了该设计方法的可行性和准确性。

摘要：基于基片集成波导设计了一种正交分裂环谐振器,并证明了该谐振器具有双负特性。将该超结构放置于双层基片集成波导中,得到了具有频率选择特性的四端口耦合结构。将加载正交分裂环谐振器的耦合结构与广义切比雪夫滤波器相结合,设计了一种X波段siw广义切比雪夫超结构滤波器。仿真结果表明,设计的滤波器满足了中心频率为10.519 GHz、相对带宽为0.25%、通带内的插入损耗小于-1 dB、回波损耗小于-20 dB的技术指标。

摘要：由于传统波导魔T所占体积比较大,而且不利于集成,为了使所设计魔T体积更小,更利于集成,基于基片集成波导(siw)理论设计了一种平面魔T,其下层结构为H-T分支,而上层结构为使用电耦合方式实现的E-T分支。且所设计的siw魔T较传统波导魔T来说,具有体积小,易于生产和集成等优点,且通过对电耦合缝的研究,可以简化魔T的匹配,易于调谐。且利用仿真软件HFSS可以看出在30.35GHz-31.55GHz,所得到的各端口的回波损耗均优于-20d B,E臂H臂的隔离优于-40d B,具有较好的性能。