摘要：基于Micro-Electro-Mechanical System(MEMS)工艺,采用双层谐振腔滤波结构,分析并设计了一种基于MEMS的硅基Substrate Integrated Waveguide(siw)双通带宽带带通滤波器芯片。设计的滤波器芯片在21.25~29 GHz以及43~47.5 GHz双通带频带内插入损耗小于3 dB,相对带宽分别为30%以及10%,带外抑制度大于20 dB,并且在双通带间产生了零点,尺寸仅为4.2 mm×1.1 mm×0.8 mm。该滤波器是平面堆叠结构,具有体积小、频带宽、易集成等优点,有较好的应用价值。

摘要：鉴于siw传输线日益广泛的应用,基于工程需要设计了一种K频段基片集成背腔贴片天线单元。siw传输线具有平面导波结构,插入损耗低,品质因数高,具有体积小、重量轻、低成本、易于加工、易于集成等特点。串馈、并馈、混合馈、高增益、宽频带、多极化、低旁瓣等技术,均可在siw传输线导波平台得到拓展应用。目前,siw阵列天线刚刚兴起,亟待天线行业开拓。随着小型化、高灵敏度雷达系统及无线通信系统的不断发展,siw天线及相关微波器件将会在更广阔的工程领域得到更深入、更广泛的研究与应用。

摘要：文章介绍了两款采用硅基工艺和siw结构的带通滤波器。滤波器结构采用高阻硅作为衬底材料,通过金属通孔阵列形成微波滤波器谐振腔,输入输出采用共面波导-微带转换结构,易于外部集成,通过探针台可以进行快速测试;同时该滤波器尺寸较小而且易于加工。将第一款滤波器的模型在HFSS上进行了仿真分析得到结果,第二款滤波器在第一款的基础上增加阶数以提升滤波器的带外抑制性能。仿真数据说明,不同尺寸的两款滤波器的通带频率均是55GHz^60GHz,插入损耗分别是1.7dB和2.1dB,驻波比低于1.1,在50GHz带外抑制分别达到31dB和62dB。