摘要：对Si_3N_4/SiO_2/Si多层膜系统对Ar^+激光的反射率进行了模型计算,设计了各种结构的抗反射条并且用CW—Ar^+激光对两种结构进行了再结晶实验研究。通过实验,确定了最佳的抗反射膜结构和条宽。用这种结构可以很好地将晶界限制在低反射区。实验结果支持了计算模型和设计。在设定的区域(500μm×300μm)范围内可以得到无晶界的条形薄膜(由光刻决定条的位置)。把MOSFET的栅区制作在膜的无晶介条上,测量得到表面电子和空穴迁移率分别为(μ-)_n=630cm^2/V·S·(μ-)_p=143cm^2/V·S;NMOS与PMOS管单位沟道宽度的沟道漏电流分别为I_n=3.3pA/μm,I_p=0.067pA/μm。

摘要：由于在设计物联网系统单晶片方面表现出的超低功耗和节能应用，FD—soi的能耗、性能、成本优势正日益受到瞩目，尤其在中国市场，其在智能手机、智能家居，和智能汽车方面的应用表现非常抢眼。

摘要：CEA、soitec、格芯 (GlobalFoundries) 和意法半导体(ST)宣布一项新的合作协议,四家公司计划联合制定行业的下一代 FD soi(全耗尽型绝缘体上硅)技术发展规划。半导体器件和 FD soi技术创新对法国和欧盟以及全球客户具有战略价值。FD soi 能够为设计人员和客户系统带来巨大的好处,包括更低的功耗以及更容易集成更多功能,例如通信连接和安全保护。对于汽车、物联网和移动应用而言,这些优势是FD soi技术的一个重要特质。

摘要：soitec公司（法国巴黎Euronext）是全世界soi晶片和其他工程基片的领先供应商。今天soi越来越多地用于制造先进的电子器件，从汽车到便携式消费产品，它在各种应用系统中到广泛应用。用soi制造的芯片，在制造方面是经济有效的，而且可以节省电力并且提高性能。另一方面，整个行业对soi设计与制造的支持，这两方面的及时结合，可以促进中国的晶片代工广商和无晶片厂的半导体公司向soi迈进。

摘要：法国半导体公司soitec与上海Industrial μTechnology研究机构（SITRI）共同签署一项协议，将采用基于soitec公司衬底材料和相关技术的先进电路设计进一步开发RF—soi技术。双方合作的目标是为了巩固他们在射频市场的地位，其中重点关注快速发展的中国射频生态系统。

摘要：法国半导体公司soitec与上海Industrial μTechnology研究机构（SITRI）共同签署一项协议，将采用基于soitec公司衬基底材料和相关技术的先进电路设计进一步开发RF-soi技术。

摘要：soitec公司宣布，在整个行业，使用全世界绝缘硅（Silicon on Insulator，简称soi）的设计和制造蓬勃发展，为中国爆炸性增长的芯片制造业，创造了把soi技术纳入它的发展蓝图的理想条件。

摘要：2008年3月19日，法国soitec公司在SEMICON中国展览会举行的新闻发布会上指出：在整个行业使用soi的设计和制造蓬勃发展，为中国爆炸性增长的芯片制造业创造了把soi技术纳入它的发展蓝图的理想条件。

摘要：绝缘硅（soi）晶圆制造商法国soitec半导体公司在北京举办的新闻发布会中介绍了该公司在中国市场的发展历史、全耗尽绝缘硅（FD-soi）基板的成熟性和生产及准备状态、FD-soi的最新进展及其生态系统。会上主要讨论的问题包括该技术是否适合各代工厂及应用设计师广泛使用,更重要的是,该技术如何解决中国半导体行业及中国希望成为全球芯片行业领袖的长期目标中所面临的挑战。

摘要：soitec公司是全世界绝缘硅（soi）晶片和其他工程基片的领先供应商。在SEMICON中国展览会期间举行的新闻发布会上，soitec称在整个行业使刚soi的设计和制造蓬勃发展，创造了把soi技术纳入它的发展蓝图的理想条件。在soi技术越来越多地用于制造先进电子器件的今天，从汽车到便携式消费产品，它在各种应用系统中得到广泛应用。用soi制造的芯片，在制造方面是经济有效的，而且可以节省电力并且提高性能。