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检索条件"主题词=SPICE宏模型"
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一种SET的spice宏模型及SET/CMOS混合系统仿真研究
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《河北大学学报(自然科学版)》2009年 第1期29卷 95-98页
作者:马彦芬 杨晓光 孙铁署河北工业大学电气与自动化学院天津300130 中国人民解放军95809部队78分队河北沧州061036 
基于单电子晶体管(SET)数学分析模型,改进了它的spice宏模型.该模型考虑了背景电荷的影响,由1个电压控制电流源、1个电压控制电压源构成.与准分析模型相比较,该模型准确地表现了SET的I-U特性.通过A/D转换器的仿真实例表明,所设计的3位SE...
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数据手册和spice宏模型,该以何者为重?
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《电子设计技术 EDN CHINA》2009年 第8期16卷 13-13页
作者:John ArdizzoniADI公司高速放大器部门 
问题:在对贵公司的一个放大器进行spice(侧重于集成电路的仿真程序)仿真时,得到的结果与数据手册给出的结果不同,我应该以何者为重呢?
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一种基于互补型单电子晶体管的全加器电路设计
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《电子器件》2005年 第2期28卷 366-369页
作者:孙铁署 蔡理空军工程大学理学院 
基于单电子晶体管(SET)的IV特性和CMOS数字电路的设计思想,提出了一种由28个互补型SET构成的全加器电路结构。该全加器优点为:简化了“P-SET”逻辑块;通过选取一组参数使输入和输出高低电平都接近于0.02mV和0mV,电压兼容性好;延迟时间短...
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基于Ga-SbTe的高性能相变存储单元的设计和仿真
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《功能材料与器件学报》2008年 第6期14卷 988-994页
作者:尹文 程秀兰上海交通大学微电子学院上海200240 
相变存储器(PCM)因依靠电阻率的变化来存储的模式,成为65nm以下非易失存储器应用的研究热点。然而,相变存储器的擦写功耗、复位电压、热稳定性和擦写寿命一直是相变存储器发展的几个瓶颈。对此,设计了一种基于相变合金Ga3Sb8Te1的新型...
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单电子晶体管及其基本特性的仿真分析
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《青岛大学学报(工程技术版)》2003年 第2期18卷 5-8页
作者:陈学军 蔡理空军工程大学工程学院陕西西安710038 
提出了一种应用Pspice仿真SET的方法,该方法通过所设计的模型可实现SET的基本特性仿真。仿真结果表明,所设计的模型具有合理的精确度。
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单电子晶体管全加器电路设计
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《微纳电子技术》2005年 第3期42卷 111-114页
作者:马彦芬河北工程技术高等专科学校河北沧州061001 
基于单电子晶体管(SET)的I-V特性和二叉判别图数字电路的设计思想,改进了二叉判别图(BDD))单元,得到了一类基本逻辑门电路,进而提出了一种由11个BDD)单元即22个SET构成的全加器电路单元。spice宏模型仿真结果验证了设计的正确性。
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宽温度范围的轨到轨运算放大器
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《今日电子》2005年 第5期 103-103页
MCP623X和MCP624X系列轨到轨输入/输出运算放大器的带宽为10kHz~10MHz,有单运放、双运放及四运放器件可供选择。工作温度为-40~+125℃,工作电压可低至1.8V,在带宽为300kHz时的典型电流为20μA,带宽为650kHZ时为50μA,并免费提...
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