摘要：全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild日前推出800V superfet?IIMOSFET系列,该系列提供广泛的可选封装并拥有业内最低的导通电阻(Rdson)和输出电容(Coss)。新系列帮助设计师提高高性能解决方案(需要600V/650V以上的击穿电压)的效率、成本效益和可靠性。

摘要：全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild正在满足车辆制造商和零配件供应商的高级需求,其新的superfet?II MOSFET和高压整流器产品系列有助于打造更清洁、更智能的车辆,是额定功率不断提高的车载充电器和DC-DC转换器(用于混合动力、插电式混合动力和全电动车辆)的理想选择。

摘要：在智能手机和平板设备集成功能和不断减小的尺寸驱动下,过去几年中锂离子电池的能量密度显著提高。移动设备和电池技术的进步引导电池充电器设计人员将焦点放在改进电源转换效率、功率密度、工作温度、充电时间和输出功率及先进的功率器件、电路拓扑和控制方法上。半导体供应商任开发先进技术,实现高效率和高功率密度方面扮演着重要角色。

摘要：飞兆半导体开发出新的低导通阻抗600V superfet MOSFET器件系列，专为满足最新的超纤小型镇流器应用的DPAK（TO-252）器件需求而设计。飞兆半导体DPAK判装的superfet器件的导通阻抗仅为传统Planar型平坦化MOSFET的三分之一（0．6-1．20hm），能将满足高频照明系统设计的系统效率需求且将开关和传导损耗减至最小，并满足这些快速转换的照明设计的系统效率要求。

摘要：Fairchild推出800Vsuperfet II MOSFET系列，该系列提供广泛的可选封装并拥有极低的导通电阻和输出电容，可以帮助设计师提高高性能解决方案（需要600V／650V以上的击穿电压）的效率、成本效益和可靠性，同时通过减少元件的使用从而减少这些设计的电路板空间。极佳的可靠性，加上出色的效率和热特性，使其成为各种应用的理想之选。同时，多种可选封装为设计师带来巨大的灵活性，在尺寸受限的设计中尤为如此。

摘要：具有15kV ESD保护的新型μSerDes产品；提供高达300mA电流的双通道同步降压型稳压器;具有保护直流供电端口的新型PolyZen微型集成保护模块;简单易用的4路输出电源管理单元;新型20V微电子功率IC光电继电器;低导通阻抗600V superfet MOSFET器件系列;电池充电器、降压型转换器和线性稳压器三合一方案;

摘要：飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）开发出新的低导通阻抗600V superfet MOSFET器件系列，专为满足最新的超纤小型镇流器应用的DPAK（TO-252）器件需求而设计。飞兆半导体DPAK封装的superfet器件的导通阻抗仅为传统Planar型MOSFET的1／3（06Ω-12Ω）．能满足高频照明系统设计的系统效率需求且将开关和传导损耗减至最小。