摘要：Diodes公司(Diodes Incorporated)推出首款采用了晶圆级芯心尺寸封装的肖特基(schottky)二极管,为智能手机及平板电脑的设计提供除微型DFN0603器件以外的又一选择。新器件能够以同样的电路板占位面积,实现双倍功率密度。全新30 V及0.2 A SDM0230CSP肖特基二极管采用了X3-WLCUS0603-3焊接焊盘封装,热阻仅为261 oC/W,比DFN0603封装低约一半,有效把开关、反向阻断和整流电路的功耗减半。SDM0230CSP的占位面积为0.18 mm^2,比采用了行业标准的DFN1006及SOD923封装的肖特基二极管节省电路板面积达70%,非常适合高密度的设计。

摘要：电阻与二极管将朝更微型化推进。随着行动与穿戴式装置配备的功能更趋多元,其搭载的电阻、齐纳(Zener)二极管及萧特基(schottky)二极管等离散式(Discrete)元件体积亦被要求朝更小尺寸演进,也因此,罗姆(ROHM)

摘要：Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流(Trench SBR)技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP,能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流,并以较低的温度工作,有效满足充电器输出整流二极管的要求,从而易于处理36kHz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。