摘要：smco薄膜的厚度是影响其磁性能的重要因素,而沉积速率是控制薄膜厚度的关键。采用直流磁控溅射工艺制备smco薄膜,设计正交实验并通过数理统计方法研究了溅射工艺参数中溅射功率、靶基距及氩气压强对smco薄膜沉积速率的影响,并同时考察了不同厚度smco薄膜的磁性能变化规律。研究结果表明：溅射功率与靶基距都对薄膜的沉积速率有较大的影响,其中在溅射功率为40~120W范围内时,随着溅射功率的增大smco薄膜的沉积速率逐渐提高;在靶基距为50~70mm的范围内,smco薄膜的沉积速率随靶基距的增大而逐渐降低;而在氩气压强处于0.7~1.5Pa范围内时,smco薄膜的沉积速率几乎不随氩气压强的改变而变化。在溅射功率为80W、靶基距为60mm及氩气压强为1.1Pa的工艺条件下,smco薄膜的沉积速率具有很好的稳定性。随膜厚从0.59μm增加到0.90μm,smco薄膜的矫顽力由23.4kA/m降低到8.2kA/m。

摘要：近日,包头天和磁材技术有限责任公司(以下简称“天和磁材”)一项名为“永磁材料的制造方法”(ZL201710068324.2)的发明专利获得授权。据了解,天和磁材作为中国最大稀土永磁材料制造商之一,主营烧结钕铁硼(NdFeB)和烧结钐钴(smco)永磁材料。天和磁材作为天和磁材的大型生产基地,依托包头稀土之都的天然资源优势,设计年产永磁材料为10000吨,拥有自己的专业设备制造公司,共建成5个专业化永磁分厂,一个加工分厂,一个表面处理工厂和一个研发、检测中心。