摘要：大多数模拟和RF工程师都依靠spice仿真程序用于电路精确分析。但是，spice仿真的速度慢得难以忍受。多年以来，EDA供应商一直试图通过推出快速spice仿真程序来提升工程师的spice仿真速度。但这些仿真工具加快了仿真速度，却牺牲了精确度。Berkeley Design Automation公司（伯克利设计自动化公司）的高级职员认为：他们已利用两种工具解决了这一问题，据该公司称，这两种工具保持了spice的精确性，而且仿真速度比同类竞争工具高5倍～10倍。

摘要：基于电流开关驱动器对高速电流舵D/A转换器动态性能的影响因素分析,提出了结合驱动信号交叉点理论、同步锁存技术和低驱动信号摆幅的电流开关驱动器设计技术,并设计了新型的电流开关驱动器电路.基于TSMC0 35μmCMOS工艺采用Hspice仿真工具,对电流开关驱动器进行仿真分析和应用验证.基于电流开关驱动器所实现的4位D/A转换器具有很低的输出伪信号,所实现的8位D/A转换器具有很高的无杂波动态范围,表明这种电流开关驱动器能保证高速D/A转换器的良好动态性能.

摘要：忆阻器是具有动态特性的电阻,阻值可依赖于激励电压来变化,具有类似于生物神经突触连接强度的特性,可用来存储突触权值。在此基础上为实现忆阻器突触电路的学习功能,建立了"整合激发"型神经元spice仿真电路,修改了原始神经元电路结构,并对电路的脉冲信号产生过程进行了spice仿真。结合MOS管及忆阻器的特性重新设计了神经元突触电路结构,使突触电路更符合真实生物神经突触特征。在应用此设计的基础上,实现了2个神经元所构成神经网络之间类似于Hebbian学习的平均激发率学习规则。并且在基于多个神经元的神经网络的基础上完成了Pavlov实验,证明了此神经系统结构设计在联想学习方面的可用性。

摘要：以某款带有百年日历、可编程时钟输出、夏令时、闹钟报警等功能的时钟模块为研究对象,为快速获得该时钟的逻辑完整性与正确性的判定,设计一种带有涓流充电的RTC验证方法。通过对预设功能的解析、归纳和梳理,将实时时钟、日历、定时闹钟,以及月末日期调整、闰年补偿等功能拆分成独立模块,根据各自特点,依靠相应的中断机制,以跳点变化为切入点,把遍历与跳越两种方式有机结合。为验证方法的严谨性,通过spice进行功能仿真,同时针对样品设计了一套验证板和控制软件。经验证该方法可满足预期,可为相关项目研发提供技术支持与保障。

摘要：脉冲激光雷达探测的性能直接与激光束的质量和能量有关,而激光驱动电路则直接决定了脉冲激光的功率和脉冲宽度。基于半导体激光雷达探测系统的要求,设计出应用于激光雷达发射系统的大电流纳秒级脉冲半导体激光二极管的驱动电路。介绍了电路的系统结构和驱动级电路的模型及其理论分析,推导其电流数学模型计算公式,并对关键器件的选择进行了总结;运用spice仿真程序对驱动电路进行了仿真。制作了印刷电路板,得到峰值电流25A,脉宽15ns的脉冲电流,满足设计要求。

摘要：引言spice是分析系统抗传导EMI浪涌电压性能的有效设计工具,它可以验证并优化采用瞬态电压抑制(TVS)雪崩二极管的浪涌保护电路的性能.TVS二极管的尺寸小、响应时间快、钳位电压小且成本低,可以为浪涌问题提供有效的解决方案.本文将spice仿真与基准测试进行比较,证明TVS雪崩二极管能够钳位噪声源(如感应设备和负载开关)引起的浪涌电压.

摘要：提出了一种新型的基于运算放大器的开关电容采样保持电路结构.采用速度补偿解决了高速高分辨采样保持电路对放大器要求增益高和速度快之间的矛盾.具体设计了采样保持电路,特别设计了其中的快速时间连续电压比较器.用Chart0.35μmCMOS工艺,进行Hspice仿真,结果表明,本文设计的采样保持电路的分辨率为10位,采样速率高于70MHz s.

摘要：介绍了一种低压电流模带隙电压基准电路,并提出了一种新颖的启动电路结构.电路采用预先设置电路工作点和反馈控制相结合的方法有效地克服了第三简并点的问题,从而保证电路能够正常工作.文中给出详细的分析和电路实现,并给出了一种电路简并点和启动裕度分析的spice仿真方法.电路采用0.25μmCMOS工艺设计并流片.最后对电路的测试结果进行了比较和分析.

摘要：采用新型的高速鉴频鉴相器(TSPC)、典型的抗抖动的电荷泵和对称负载差分延迟单元,设计了0.18μm标准CMOS工艺、1.8V工作电压的锁相环,经过系统稳定性验证和spice仿真,125MHz的最大时钟输出在(75℃@TT)情况下,具有±3σ=70ps左右的long term低抖动.同时,在3种不同工艺下施加0.1Vpeak peak正弦电源噪声时,对电路的工作情况进行了仿真,均能很好满足电路设计的要求(对于1000Base T,Δt=8ns/16=500ps,根据时钟恢复算法的仿真,较严格peak peak抖动要求约为(2%～3%)×baud=160～240ps).

摘要：偏置电压对AlGaN器件有两方面的影响,一方面偏置电压会对内部两级放大器各MOS管的工作状态产生影响,在应用中应合理地设置使各管工作在恰当状态;另一方面偏置电路上叠加的纹波也是一种噪声源,会耦合到探测器的输出。本文首先是理论推导影响输出的各种因素,再利用spice模型仿真单元运放偏置电压Vbias、参考电压Vref、正电源Vdd、地Vss对读出噪声的贡献,最后结合实际图像,直观地表现偏置电压对图像的影响。从而对探测器读出电路设计者和日盲型AlGaN探测器的应用者提供合理的设计和配置原则。