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SiGe HBt器件低温S参数计算方法
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《核电子学与探测技术》2023年 第5期43卷 992-999页
作者：魏正华 叶小兰长沙民政职业技术学院电子信息工程学院长沙410000 长沙环境保护职业技术学院环境监测系长沙410000 
针对锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBt)器件的S参数是用于射频前端电路匹配设计的关键参数,提出一种测量SiGe HBt器件在多个不同温度下的S参数获取该器件低温S参数的计算方法。首先建立SiGe HBt器件在已知直流偏置下的t型小信号电路模型,...
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