摘要：为提高厚型气体电子倍增探测器对高能伽马射线的探测效率,研制高Z材料的光电转化体,将伽马射线转化为电子后测量.通过研究设计了多孔铅型的光电转化体(孔直径1 mm、孔间距1.2 mm),理论计算其光电转化效率为6%.并结合转化体和单模thgem探测器建立探测系统,测量662 keV伽马射线.结果显示,含转化体的thgem探测系统对662 keV光子探测效率达到了3%,说明转化体对于提高探测效率是有效的;同时分析探测效率略低于转化体光电转化率的理论计算值6%的主要因素为探测器外结构膜窗对低能光电子造成的损失.

摘要：设计了一种基于厚气体电子倍增器(thgem)的快中子探测器。通过研究其对252Cf快中子源(2.13 Me V)和137Csγ源(661 ke V)的响应,分别得到了在80 m V、160 m V、260 m V三种电子学阈值下,探测器对γ射线抑制和快中子探测的结果。结果表明在阈值为260 m V、γ射线全部抑制的条件下,探测器有70V的工作电压调整范围,能够探测到中子的(n,p)过程产生的反冲质子信号。

摘要：随着脉冲强流中子源的发展,对高性能中子探测器提出了更大的挑战,3He气体资源严重短缺和高计数率中子探测器的迫切需求,已开始制约着中子源应用技术的发展。中国科学院高能物理研究所针对中子的特殊性,专门研发了一种陶瓷基材的n thgem(neutron Thick Gaseous Electron Multiplier)探测器用于中子探测。基于n thgem的中子探测器具有高计数率、高位置与时间分辨能力、增益大、制作工艺简单,且便于大面积制作的特点,是目前国际上发展替代~3He探测技术的重要方向之一。为了详细研究n thgem探测器的本身性能,本工作使用^(55)Fe放射源研究了n thgem探测器的增益、计数率稳定性、能量分辨率等关键参数与n thgem膜间电压、收集场强、漂移场强之间的关系,优化了n thgem探测器在不同工作气体中的工作参数,为后续进一步优化n thgem探测器设计和工艺奠定了基础。实验结果表明,单层n thgem探测器在Ar(90%)+CO2(10%)混合气体中增益能达到103,探测器计数率稳定性良好。另外,还在中国原子能科学研究院的CARR反应堆(China Advanced Research Reactor)上进行了中子束流实验,通过狭缝测量到探测器位置分辨率为(3.01±0.03)mm(FWHM),已经接近高气压3He MWPC中子探测器水平。