摘要：为系统研究n型topcon电池的背表面掺杂特性,设计专门的材料结构并进行掺杂浓度分布及背表面暗饱和电流密度值的测试。结果表明,当多晶硅(Poly-Si)层的设计厚度为100 nm,掺杂浓度为(2~3)×10^(20)/cm^(3),且当激活的磷掺杂源穿透SiO_(x)层并在Cz-Si基体中具有一定的"穿透扩散"剖面时,电池背表面的钝化效果达到最优值,使得背表面暗饱和电流密度值J;小于2.5 fA/cm^(2),达到目前行业的先进水平,同时基于最优的背表面钝化结果进行电池制作,电池平均转换效率超过22.43%。

摘要：本文利用Quokka3软件研究了采用topcon技术的n型PERT太阳电池(下文简称“topcon-n-PERT太阳电池”)发射极的饱和电流密度、发射极-金属接触电阻率、背表面隧穿氧化层厚度及背表面饱和电流密度对其电性能的影响,并设计了相关实验对模拟结果进行了验证。验证结果表明:发射极和背表面的饱和电流密度值的增加均会使电池的光电转换效率和开路电压值逐渐减小;发射极-金属接触电阻率值的增加会导致电池填充因子的值降低;对于背表面的隧穿氧化层与掺杂多晶硅薄膜的叠层结构而言,随着背表面隧穿氧化层厚度逐渐增加,背表面的隐开路电压i-Voc值呈先增加后减小的趋势,且当背表面的隧穿氧化层厚度为1.2 nm时,背表面的钝化特性达到最优值,实验得到的i-Voc值可达735 mV。同时,结合实验结果与理论模拟结果可知:当背表面隧穿氧化层厚度为1.2 nm时电池获得最优的电性能参数。该研究结果对于topcon-n-PERT太阳电池的产业化推广具有重要的指导意义。

摘要：topcon太阳能电池使用LPCVD在585℃-625℃热氧制备隧穿氧化层和在610℃左右热分解SiH4制备本征多晶硅层,主要工艺气体为O2、SiH4和N2。SiH4为易燃易爆危险气体,分析不同极限条件下SiH4气体的体积比,结果表明,生产过程中其体积比远低于爆炸下限,生产topcon太阳能电池使用LPCVD制备隧穿氧化层和本征多晶硅层,尾气排放可直接接厂务硅烷排管道,而不需要单独尾气处理系统进行处理后再排放至硅烷排管道,节约了生产成本和基建成本。

摘要：电脑自动验光仪在临床已使用了10多年,其快速,简便的特点已深受临床工作者的欢迎。但由于设计上的不足,个体调节力差异,其结果也有不准确之处。为此,我们设计了该临床研究,以评估在近视、远视、散光、带病变的屈光不正眼等门诊配镜病例中,常规的配镜方法与topcon RM—A7000型自动验光仪的差别。1 资料与方法 topcon

摘要：市面上同时流行HJT、topcon、PERC等类型光伏组件,目前已有试验室STC下不同工艺条件下光伏组件的发电情况数据,但在热带季风气候地区户外实际发电表现尚无实际验证,同时工信部对晶硅组件有着户外实际运行情况下的衰减率要求。本文设计了两组试验以验证不同工艺光伏组件的发电情况,进行对比和衰减率判定。结果显示,HJT组件要比N-topcon、P-topcon更优异,晶硅的衰减情况均满足工信部要求。