摘要：采用溅射氧化耦合法,在Al2O3基底上成功实现了对VO_2薄膜的ti元素掺杂.通过光电子能谱(XPS)的分析,试验制备的VO_2薄膜具有较高的纯度,只含有少量+3价V,同时也对ti元素的含量进行了定量分析,分析结果证明了试验设计的合理性.通过测量VO_2薄膜在不同温度下的方块电阻,绘出了其电阻-温度曲线,并分析得到了ti不同掺杂含量下的相变温度与回滞宽度.研究结果表明,ti掺杂对VO_2薄膜的相变温度没有明显的影响,但可以有效地使VO_2薄膜的回滞宽度变窄,甚至接近于单晶VO_2的回滞宽度.该试验对于VO_2薄膜的开关器件应用具有重要意义.

摘要：本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,深入研究了ti掺杂对扶手椅石墨烯纳米带(AGNRs)电子结构和光学性质的影响.研究表明:ti原子的引入不会改变AGNR(7,4)原有的半导体性,但是可以通过改变掺杂位置和掺杂浓度来调控AGNR(7,4)的带隙;增大ti掺杂的浓度,体系的带隙减小,其LUCB和HOVB的色散逐渐增大,LUCB和HOVB主要源于ti原子及邻近C原子上电荷的贡献;ti掺杂的AGNR(7,4)在3~9 eV的紫外线范围内能吸收特定波长的光,通过改变掺杂浓度可以有效地调节吸收强度.该项研究结果对石墨烯纳米带在纳米电子和光电器件的设计及应用中具有理论指导意义.

摘要：将共沉淀法制得的碳酸盐前躯体Mn_(0.75)Ni_(0.25)CO_3与Li_2CO_3以及不同量的纳米tiO_2均匀混合,并在900℃下烧结10 h得到Li[Li_(0.2)Ni_(0.2)Mn_(0.6-x)ti_x]O2(x=0.00,0.01,0.02,0.05,0.10)正极材料,ICP(感应耦合等离子体)分析表明制备的材料组分基本符合最初的设计.通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征发现,掺杂量达到一定程度时会改变基体材料的结构并对微观颗粒起到分散作用.电化学测试结果表明:ti掺杂量为0.02的材料具有最佳的电化学性能:0.1C倍率下循环30次时量没有任何衰减;其在各倍率下的放电比容量较未掺杂材料均有7~13 m Ah/g的提升;0.1C倍率下30次循环的中值电压衰减为0.08 m ***(电化学阻抗谱)测试结果表明ti掺杂量为0.02的材料性能的提高可能来自于ti掺杂对材料结构稳定性的改善.

摘要：A new type of hydrogen storage materials was designed by grafting the ti doped benzene structures onto the tetrahydrido-silsequioxane. The number of H2 molecules adsorbed on the materials is governed by the ＂18-electron＂ rule, which can be attributed to the ＂kubas interactions＂.