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埋层深度对triple-resurf LDMOS纵向电场和击穿电压的影响: 收藏
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引用; 《微电子学》2015年第2期45卷 253-257页; 作者：宋庆文胡夏融冯灏西华大学物理与化学学院成都610039; 研究了P埋层深度对体硅triple-resurf LDMOS纵向电场和击穿电压的影响。分析表明,当P型埋层靠近器件表面时,纵向电场平均值较小,击穿电压较低;当P型埋层靠近衬底时,优化漂移区浓度较低,器件比导通电阻较大;当P型埋层位于漂移区中部时,...; 研究了P埋层深度对体硅triple-resurf LDMOS纵向电场和击穿电压的影响。分析表明,当P型埋层靠近器件表面时,纵向电场平均值较小,击穿电压较低;当P型埋层靠近衬底时,优化漂移区浓度较低,器件比导通电阻较大;当P型埋层位于漂移区中部时,器件的BV2/Rs,on设计优值最大。指出了P型埋层在漂移区不同区域时击穿点的位置,以及对应的漂移区浓度取值范围,为横向高压triple-resurf LDMOS的设计提供了参考。; 来源：详细信息评论

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