文献检索-宁波市创意产业特色资源库

限定检索结果

高性能低功耗高速缓存的v-lru RAM单周期清零技术: 收藏
分享
引用; 《微电子学》2012年第1期42卷 97-101页; 作者：涂志娣董磊李可岑俊龙梁松海深圳大学光电子学研究所广东深圳518060 深圳大学信息工程学院EDA技术中心广东深圳518060; 提出并实现了一种高速缓存的v-lru RAM单周期清零技术。运行操作系统的CPU在不同任务之间切换时,需要对v-lru RAM清零。使用传统的计数器依次清空v-lru RAM的各行,CPU会白白浪费很多个时钟周期。在一个时钟周期对v-lru RAM清空,可以大...; 提出并实现了一种高速缓存的v-lru RAM单周期清零技术。运行操作系统的CPU在不同任务之间切换时,需要对v-lru RAM清零。使用传统的计数器依次清空v-lru RAM的各行,CPU会白白浪费很多个时钟周期。在一个时钟周期对v-lru RAM清空,可以大大提高CPU的性能。在四路组相联的高速缓存设计中,容量为16k、8k和4k字节时,使用该技术可以将以前的256、128和64个时钟周期降低到只有1个时钟周期。基于SMIC 0.13μm工艺,实现该技术的硬件电路面积为6 312.8μm2,且高速缓存的缺失率保持在非常低的水平。这种技术同样适用于对RAM需要单周期清空的场合。; 来源：详细信息评论

限定检索结果