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NMOS管Snapback特性ESD仿真模型研究: 收藏
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引用; 《电子与封装》2012年第3期12卷 36-40页; 作者：高国平蒋婷韩兆芳孙云华中国电子科技集团公司第58研究所江苏无锡214035; 随着集成电路特征尺寸的不断缩小,ESD的问题始终困扰着芯片设计师们。文章提出了一种宏模型用于ESD的snapback仿真,它包含一个MOS管、一个NPN晶体管和一个衬底电阻,没有外部的电流源。简化的宏模型没有必要使用行为级的语言,如Verilog-A...; 随着集成电路特征尺寸的不断缩小,ESD的问题始终困扰着芯片设计师们。文章提出了一种宏模型用于ESD的snapback仿真,它包含一个MOS管、一个NPN晶体管和一个衬底电阻,没有外部的电流源。简化的宏模型没有必要使用行为级的语言,如Verilog-A、VHDL-A。这使得仿真速度和收敛性得到提高。同时比较了三种先进的BJT模型:vbic、Mextram、HICUM。模型参数可以通过模型参数提取软件(BSIMProPlus、ICCAP等)提取。; 来源：详细信息评论

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