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全离子注入NPN型偶载场效应晶体管的离子注入工艺研究: 收藏
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引用; 《北京师范大学学报（自然科学版）》2003年第3期39卷 320-324页; 作者：于理科郭慧民任永玲李国辉姬成周北京师范大学教育部射线束与材料改性重点实验室; 通过trim软件和高斯模型对离子注入后快速退火载流子分布进行设计 ,初步构造出离子注入的分布图像 ,通过与实验结果比较 ,进一步完善模型 .选用高斯与半高斯混合模型 ,得到了与实验结果更吻合的模拟方案 .从而找到了研制NPN型偶载场效...; 通过trim软件和高斯模型对离子注入后快速退火载流子分布进行设计 ,初步构造出离子注入的分布图像 ,通过与实验结果比较 ,进一步完善模型 .选用高斯与半高斯混合模型 ,得到了与实验结果更吻合的模拟方案 .从而找到了研制NPN型偶载场效应晶体管 (vdcfet)离子注入的最佳条件 ,并研制了性能良好的vdcfet .; 来源：详细信息评论

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