摘要：采用直流磁控溅射法在掺氟的SnO_2(FTO)导电玻璃衬底上沉积纯钒金属薄膜,再在常压氮氧混合气氛中退火制备vo_2/FTO复合热致变色薄膜,并对复合薄膜的结构、光学特性以及电学特性进行了测试分析。结果表明,薄膜结晶程度较高,表面平滑致密,具有很好的一致性,导电玻璃上的FTO并没有改变vo_2择优取向生长,但明显改变了vo_2薄膜的表面形貌特征。与vo_2薄膜的典型相变温度68℃相比,vo_2/FTO复合薄膜的相变温度降低约20℃,热滞回线收窄到5℃,相变前后的红外透过率分别为45%和22%,相变前后电阻率的变化达3个数量级,vo_2/FTO复合薄膜优良的光电特性对新型光电薄膜器件的设计开发和应用具有重要意义。

摘要：为了获得相变温度低且热致变色性能优越的光学材料,室温下在F:SnO2(FTO)导电玻璃基板表面沉积钨钒金属膜,再经空气气氛下的热氧化处理,制备了W掺杂vo2/FTO复合薄膜,利用X射线光电子能谱、X射线衍射和扫描电镜对薄膜的结构和表面形貌进行了分析.结果表明:高温热氧化处理过程中没有生成W,F,V混合氧化物,W以替换V原子的方式掺杂.与采用相同工艺和条件制备的纯vo2/FTO复合薄膜相比,W掺杂vo2薄膜没有改变晶面取向,仍具有(110)晶面择优取向,相变温度下降到35 C左右,热滞回线收窄到4 C,高低温下的近红外光透过率变化量提高到28%.薄膜的结晶程度明显提高,表面变得平滑致密,具有很好的一致性,对光电薄膜器件的设计开发和工业化生产具有重要意义.

摘要：基于vo_2的热致相变特性,仿真设计出了一种W/vo_2方形纳米柱阵列可调中红外宽频吸收器,通过时域有限差分法分析了结构参数对吸收性能和结构内电磁场强度分布的影响,以及吸收器在不同偏振态和入射角度下的吸收特性。结果表明:在最佳的结构参数下,当vo_2未发生相变时,入射到吸收器的红外光转变为热而消耗掉,在3～5μm谱段的平均吸收率高达96.2%;当vo_2发生相变而转变为金属相时,吸收器表现出强反射,抑制吸收,高低温下的平均吸收率差可达74.1%。该吸收器的吸收率受入射光的影响较小,具有广角吸收特性,有望在红外智能光电领域得到应用。

摘要：以V2O5、钨酸铵、钼酸铵和草酸为原料,采用高温热解前驱体的方法制备了复合掺杂W6+和Mo6+的M型vo2粉体。采用均匀设计U7(72)考察了钨酸铵和钼酸铵的加入量与产物的相变温度之间的关系,建立了数学模型并进行了回归分析。结果表明钼和钨全部以离子形式进入了vo2的晶格,热分解产物具有良好的光电开关性能。

摘要：采用热致相变材料vo2作为缺陷层,ZnS与MgF2作为周期性排列材料,设计了一种基于一维光子晶体结构的温度可控的光学膜系.由于vo2具有特殊的热致相变转换特性,光子禁带中的透射峰强度会因外界环境温度的改变而改变.所设计的一维光子晶体结构光学参数通过理论计算方法进行拟合,透射谱数据可根据传输矩阵法进行计算.研究结果表明,所设计结构具有良好的光学调节性能,在常温时的透射峰强度是高温状态下的40倍,并且透射峰位置可以根据入射角度的变化进行微调.所设计的基于一维光子晶体结构温度可控光学膜系具有较高的温度透射比、透射峰位置微调以及良好的双向温度调节性能.

摘要：为研究磁控溅射法中溅射功率、氧氩比、基底温度、工作气压、溅射时间等对vo_2薄膜制备的影响,寻找vo_2薄膜的最佳制备参数,本文采用正交实验法,设计了5因素4水平的16组实验,然后按照设计的正交实验方案实施了实验,在实验中严格控制实验条件并记录;实验完成后采用X射线衍射方法对实验结果进行测试并分析了氧化钒薄膜的物相组分,探究了制备条件因素与水平对薄膜组分的影响;然后采用直观比较的方法,从16组实验中选取符合结果或接近期望的实验组。最后得出制备vo_2薄膜的优选参数为:溅射功率220 W,压强0.8 Pa,基底温度300℃,氧氩比为0.5∶25。

摘要：基于热温差原理,利用MEMS技术加工制备出高灵敏度微型气体流量传感器。该流量传感器采用热敏电阻器悬空结构,其热隔离性能较好,并利用温度系数大的vo2制备热敏电阻器;同时,利用机械性能和密封性能好的SU—8胶制备气流沟道,工艺简单,稳定性好,且成本较低,适合批量生产。实验表明:当传感器处于适当偏压下时,在0～30 mL/min的流速范围内响应速度快,灵敏度高,而且具有良好的线性度,适合生化检测、医疗等领域的应用。

摘要：vo2是一种固态热致变色材料,它的晶态结构可以在半导体-金属-绝缘体之间可逆转变。介绍了vo2的相变特性,研究了氧化钒的相变机理。根据激光对光电探测器的损伤机理,研究了氧化钒薄膜对激光的智能防护,并对其进行了计算和分析。结果表明,当一束激光照射vo2薄膜防护的探测器时,vo2薄膜可以在激光对探测器造成损伤之前完成相变,从而保护探测器,因此可用于探测器针对强激光的智能防护。

摘要：实验表明,在氧化钒中掺杂不同的物质与不同的比例制作的邻界热敏电阻CTR(Critical Temperature Resister)样品的vo2相变点得到了提高,发生了偏移,这种偏移与掺杂成份与比例有一定的关系.根据样品对应的热谱图,从样品成份中vo2、Fe2O3、P2O5微观结构分析各成份所起的作用.设计制作3种掺杂比例不同的样品,比较其不同组份相变点的偏移.此方案得出,在制作邻界热敏电阻CTR时各组份相互牵制相互影响的关系.vo2的相对量与相变点温度成正比关系;P2O5的相对量影响vo2微晶的稳定,也会影响Fe2O3的变价和电子的传导,从而影响vo2的相变;Fe2O3的量与vo2导体性能成正比关系,相对量大,相变点温度将降低.

摘要：vo2是一种受热变色的材料,相变温度为68℃,利用特殊方法可使其相变温度接近于室温,温度较低时红外光透过性强,而温度较高时透过性降低。Ag Br是一种见光变色的材料,见光易分解,变暗,但光线变弱时可恢复。结合它们的特点,采用vo2薄膜和Ag Br玻璃组合的方式,可实现对室内温度的智能调节以及发挥冬暖夏凉、节约能源的作用。