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基于InP HBT工艺的高功率高谐波抑制w波段宽带八倍频器mmic: 收藏
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引用; 《固体电子学研究与进展》2021年第1期41卷 24-28,34页; 作者：刘尧潘晓枫程伟王学鹏姚靖懿陶洪琪南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016; 基于0.7μm InP HBT工艺,设计实现了一种高功率高谐波抑制比的w波段倍频器mmic。电路二倍频单元采用有源推推结构,通过3个二倍频器单元级联形成八倍频链,并在链路的输出端加入输出缓冲放大器,进一步提高倍频输出功率。常温25℃状态下,...; 基于0.7μm InP HBT工艺,设计实现了一种高功率高谐波抑制比的w波段倍频器mmic。电路二倍频单元采用有源推推结构,通过3个二倍频器单元级联形成八倍频链,并在链路的输出端加入输出缓冲放大器,进一步提高倍频输出功率。常温25℃状态下,当输入信号功率为0 dBm时,倍频器mmic在78.4~96.0 GHz输出频率范围内,输出功率大于10 dBm,谐波抑制度大于50 dBc。芯片面积仅为2.22 mm^(2),采用单电源+5 V供电。; 来源：详细信息评论

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