摘要：本文研究了自主开发的40nm工艺PDK中的LOD效应和wpe效应.LOD参数SA和wpe参数left影响CMOS器件特性,尤其饱和电流I_(dsat)和阈值电压VTH.随着SA减小,NMOS的I_(dsat)减小4.25%而VTH增大2.79%;PMOS的电参数与SA关系曲线与NMOS的一致,但比NMOS趋势要强,I_(dsat)减小8.32%而VTH增大6.78%;并解释了LOD效应的物理机制.随着left的减小,NMOS的I_(dsat)减小9.03%而VTH增大12.5%;PMOS的电参数与left关系曲线比NMOS的要弱,I_(dsat)减小8.50%而VTH增大4.61%,并提出了wpe效应下器件电参数变化原因.在纳米工艺PDK中,LOD效应和wpe效应的准确应用可以更好地模拟器件性能并改善电路设计精度.