摘要：近年来 ,有关利用毛细管放电激励产生x光激光的研究十分活跃 ,国际上已经取得了许多显著的成果 ,并且正向实现实用化Table topLaser发展。作者首先介绍了毛细管放电激励x光方案的原理及国内外的重要进展 ,在对两种典型机制的分析的同时 。

摘要：　波长19.6nm的类氖锗x光激光适合作为诊断激光等离子体界面不稳定性的光源。用经过实验检验的系列程序对预主短脉冲驱动类氖锗进行了系统的优化设计和理论分析。采用2%～3%的预脉冲强度,6～8ns的预主脉冲时间间隔,在4×1013W/cm2功率密度驱动下,波长19.6nm增益区的宽度可以超过60μm,增益区的维持时间可以达到90ps。对于16mm长的平板靶,增益系数可达11.8/cm;弯曲靶增益系数可达13.3/cm;单靶小增益长度积可达21.3,单靶就可以获得饱和增益。采用双靶对接,其小讯号增益可达38 4,可以获得深度饱和增益,能满足应用演示所需的x光激光光源。

摘要：类氖离子的x光激光理论研究可以为类镍x光激光提供有益启示。设计了一系列瞬态电子碰撞激发类氖锗19.6 nm x光激光的实验,采用2ω1ω泵浦方式,即预脉冲采用倍频钕玻璃激光,主脉冲采用基频,用新开发的瞬态电子碰撞激发类氖锗的系列程序进行了模拟,并与1ω1ω驱动的情况进行了比较。模拟表明,2ω1ω泵浦方案使类氖锗19.6 nm x光激光的小信号增益系数增大为1ω1ω方案的1.6倍,增益区也转移到了更高的电子密度区,是获得更短波长x光激光的一种有效方法。

摘要：　介绍了用国内1ns长脉冲和国外多脉冲驱动的类氖锗的实验数据检验x光激光的理论模拟程序系列的工作。在长脉冲驱动时,对波长19.6,23.2和23.6nm三条激光线,理论模拟与实验数据基本符合。在多个短脉冲驱动时,除了与严重过电离的复合等离子体有关的实验外,理论模拟与实验也基本符合。为今后设计激光聚变等离子体诊断所需类氖锗x光激光光源工作打下了基础。

摘要：对类 Ｎｉ稀土 Ｘ 光激光波段衰减膜进行了设计，并根据设计结果，利用磁控溅射和旋转涂覆法分别制备了自支撑的 Ａｇ 衰减膜和聚苯乙烯（ Ｃ８ Ｈ８）衰减膜。利用真空 α能谱测厚仪和 αｓｔｅｐ１００ 台阶仪分别对衰减膜的质量厚度和均匀性进行了测量，用 Ａｕｇｅｒ 电子能谱（ Ａ Ｅ Ｓ）对 Ａｇ 衰减膜进行了表面杂质分析。

摘要：根据电子碰撞机制类氖氩毛细管放电机理,在一台最大输出电压 30 0kV的Marx发生器基础上设计了一套完整的毛细管放电装置。对该装置进行了系统调试,在充氩气 10cm长毛细管负载下,输出电流 38kA,电流脉冲前沿 40ns。

摘要：基于三维光线追迹的象差计算，对卢瑟福实验室用离轴球面反射线聚焦系统作了分析。然后，首次提出了用于Ｘ光激光实验的两类新的反射式线聚焦构型，即反射式光楔列阵和光锥列阵系统，并作了计算。最后，对所得结果作了比较和讨论。

摘要：本文从速率方程出发,讨论了类锂铝复合等离子体的激发态结构,衰减常数,反转率和小信号增益等表征介质增益特性的物理量以及它们随电子温度,电子密度和光子逃逸几率的变化。找到了进行类锂铝离子通过复合机制产生x光激光设计应创造的等离子体状态目标区域。还讨论了这些物理量随原子序数变化的定标律。

摘要：采用“多靶串接”设计,利用强度为0.8×10^(13)～1.0×10^(13)W/cm^2,波长为1.05μm,脉宽约1ns的两路钕玻璃激光线聚焦辐照四块串接的平面厚锗靶,观察到波长为23.2和23.6nm的接近饱和的类Ne锗软x光激光输出。当总靶长为5.6cm时,这两种波长的软x光激光输出的GL值都达到16左右,沿靶法线和靶平面方向的发散角都只有3～4mrad。

摘要：90年4、5月,我们在神光装置上实现了“双靶对接”类氖锗x光激光的高增益,增益长度积达到15左右。为了分析实验结果和为下一轮的实验进行理论设计,我们编制了模拟x光激光在等离子体增益区中传播放大规律的xBY程序,和JB19程序、ALPHA程序一起组成一个完整的程序系列,来整体模拟实验室x光激光实验。