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检索条件"主题词=X切铌酸锂薄膜"
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基于x-LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si低温漂、大机电耦合SH-SAW谐振器的设计
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《压电与声光》2024年 第3期46卷 290-295页
作者:温福军 王园园 钱莉荣 王荔田 李翠平 熊阳 田亚会 李红浪天津理工大学集成电路科学与工程学院薄膜电子与通信器件天津市重点实验室天津300384 天津理工大学光电器件与通信技术教育部工程研究中心天津300384 中国科学院声学研究所北京100190 国家纳米科学中心北京100190 
铌酸锂(LN)单晶薄膜具有较高的机电耦合系数(k_(eff)^(2)>30%),其水平剪(SH)声学模式常被应用于开发具有大机电耦合系数的薄膜声学谐振器和超宽带滤波器。但LN的频率温度系数较大(TCF>-50×10^(-6)/℃),这不仅会降低滤波器...
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