摘要：基于自动复形技术,在1·48—1·52μm的近红外波段设计了可以实现全角度偏振分束(TM模透过,TE模反射)的波状膜层二维光子晶体结构.从能带角度解释了全角度偏振分束的原理.波状膜层倾角θ和a-si单层膜厚T分别可以在38°—49°和0·14—0·15μm的范围内变动,不影响全角度的偏振特性.对波状膜层进行了变形,针对波长1·28—1·31μm设计了宽角度偏振分束的箭羽型二维光子晶体结构.对比两种结构的能带,阐明了二维光子晶体偏振分束器光线入射角范围的拓宽与能带结构变化的关系.能带计算全部采用平面波展开算法.

摘要：对3个薄膜光伏并网电站(CdTe、CIGS、a-si,以下简称电站)进行了描述,对2008年2月～2009年1月的数据进行了分析。根据设计,电站每3min采集一次数据。对一年中3个电站的年发电量、月发电量、太阳辐照、光伏阵列的功率、电站效率、电站的功率损失进行了对比分析。对2008年3月21日(阴天)和24日(晴天)逆变器的工作状况进行了分析。结果表明:在2008年中,CdTe、CIGS、a-si 3个电站每千瓦的发电量依次为994.74、954.42、936.07kWh。CdTe电站在2008年中发电量最多。通过对3个电站每个月发电量的分析发现温度对CIGS电站的发电量影响较大,适合在气温较低的地区使用。最后指出通过优化太阳电池的质量可以优化温度系数,也可以通过新颖的设计改善电站和太阳能组件(简称组件)的散热从而提高电站的效率。

摘要：采用传统的移动设备设计规则,基于PenTile RGBWTM算法开发了a-si TFT移动液晶显示屏。将AFFS模式和PenTile RGBWTM算法相结合,制作的TFT液晶屏获得了超过200 cd/ m2的高亮度,500∶1的高对比度,以及达到VGA标准,可以清晰显示互联网网页的高分辨率。

摘要：在模拟与仿真的基础上,根据MOS器件的源漏击穿特性,分析了用于a siTFT有源驱动阵列的外围保护电路的工作原理;同时根据所采用的有源OLED单元像素驱动电路的特点,确定了电源线、数据线、信号线上的相应保护电路形式。该保护电路可应用于OLED的有源驱动TFT阵列。

摘要：主要介绍了ＴＦＴ特别是ａ－ＳｉＴＦＴ矩阵寻址的液晶显示器的结构、制作工艺、工作原理、动态和驱动特性，并着重对其器件参数的选择进行了分析，为今后器件的设计提供了理论依据。同时也介绍了其它三端子方式ＡＭＬＣＤ的特点及所存在的问题。

摘要：文中通过使用DOE实验设计方法对磁控溅射设备a-si靶工艺特性进行能力研究,给出了该设备工艺随功率、压力、温度的设定条件下a-si介质生长速率与均匀性的变化关系。结果表明,功率和压力是主要决定速率和均匀性的关键因素,基片温度从室温到300℃,a-si淀积速率基本不变。降低工艺压力对改善均匀性最为明显;工艺温度和功率的降低虽也可以起到改善均匀性的作用,但效果不明显,且三者的变动同时会导致速率的变化,为今后的生产、开发应用提供了参考意见。