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A High Precision CMOS Opamp Suitable for ISFET Readout
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《Journal of Semiconductors》2008年 第4期29卷 686-692页
作者:张翀 杨海钢 魏金宝中国科学院电子学研究所 
This paper presents a high precision CMOS opamp suitable for ISFET readout. The opamp is tailored to provide a constant bias condition for ISFET as part of the readout circuits and,hence,is compatible for single chip ...
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