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两种环栅MOS管的等效宽长比分析研究: 收藏
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引用; 《微电子学》2019年第5期49卷 718-723页; 作者：周枭罗萍凌荣勋吴昱操蒋鹏凯电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 对抗总剂量辐射加固中常用的两种环栅MOS管的等效宽长比进行了研究。对b字形环栅管的宽长比计算模型进行验证,发现b字形环栅结构无法实现小宽长比。分别在0.35μm和0.18μm工艺下进行流片测试,发现该计算模型的准确性较低,测试样品的宽...; 对抗总剂量辐射加固中常用的两种环栅MOS管的等效宽长比进行了研究。对b字形环栅管的宽长比计算模型进行验证,发现b字形环栅结构无法实现小宽长比。分别在0.35μm和0.18μm工艺下进行流片测试,发现该计算模型的准确性较低,测试样品的宽长比最大偏差超过30%。针对b字形环栅结构的缺点,设计了8字形环栅结构,可实现小宽长比管和倒比管,宽长比的值易于预估,且几何尺寸与直栅结构相近。在0.18μm工艺下进行流片验证。测试结果表明,8字形环栅管的饱和电流偏差值均在6%以内,宽长比预估值的准确性较高,能够非常方便地被应用于实际设计中。; 来源：详细信息评论

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