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基于TSMC 0.18μm RF CMOS工艺的1.2 GHz LNA的设计和仿真
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《电子元件与材料》2019年 第12期38卷 84-88,94页
作者:祁赓 黄海生 李鑫 惠强西安邮电大学电子工程学院 
针对射频接收机芯片中的低噪声放大器(Low-Noise Amplifier,LNA)电路在工作时要求拥有更小的噪声系数和更好的隔离度等问题,采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺结合共源共栅结构设计了一款低噪声放大器,在导航接收机中主要用来接收GPS L2频...
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