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高速高饱和InGaAs/InP单行载流子光电二极管
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《半导体光电》2004年 第3期25卷 169-173页
作者:夏力臣 高新江电子科技大学光电信息学院四川成都610054 重庆光电技术研究所重庆400060 
 InGaAs/InP单行载流子光电二极管(UTC PD)是近年来研发的一种新型光电器件。UTC PD是一种由p型中性光吸收层和n型宽带隙集结层构成,并且只用电子作为有源载流子的光电二极管。详细地介绍了UTC PD的工作原理、结构设计、制作工艺及典...
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速调管圆柱同轴谐振腔高阶TM_(310)模式输出回路
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《真空科学与技术学报》2012年 第12期32卷 1093-1097页
作者:董玉和 刘永霞内蒙古科技大学理学院包头014000 内蒙古科技大学信息学院包头014000 
设计了工作于高阶横磁TM310模式圆柱同轴谐振腔。模拟计算了六个漂移管间隙中心轴向谐振电场极大值位置处的特性阻抗。对于谐振腔加载空矩形波导和加载电感膜片滤波器矩形波导两种速调管输出回路,由微波电路理论和高频电磁场软件分别模...
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1.55μm短腔垂直腔面发射激光器的优化设计
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《半导体光电》2014年 第1期35卷 39-42页
作者:王志燕 贾护军 毛周 李泳锦 成涛 裴晓延 孙哲霖西安电子科技大学微电子学院、宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室.西安710071 
设计了一种基于InP衬底的1.55μm短腔垂直腔面发射激光器(VCSEL),先从结构上对上下反射镜进行了优化设计,然后重点对谐振腔的腔长进行了优化,采用1λ短腔结构,用Matlab软件进行了仿真,结果表明:优化后的VCSEL器件的输出功率为2.22mW,饱...
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