摘要：依据“参数补偿压缩法”的原理 ,给出宽带 e类功放电路。借助于电路优化设计理论设计出实际的宽带负载网络 ,制作出一个工作于 3 0～ 90 MHz,输出功率为 7.6～ 1 0 .2 W,总效率为 72 %～ 84%的功放电路。实验证明 ,该宽带负载网络及其设计方法正确且实用。

摘要：为了解决e类功放工作带宽过窄的问题，对e类功放的输入、输出匹配网络提出了一种改进方案．该方案中输出匹配网络采用微带线结构与切比雪夫低通匹配网络相结合的方法，在较宽的工作带宽内有效地抑制了谐波；并采用阻抗变换方法设计了含闭式解的宽带带通输入匹配网络，明显增强了输入匹配网络设计的灵活性．利用该方案，同时采用多谐波双向牵引技术得到功率管的最佳源阻抗和负载阻抗，基于CGH40010F功率管设计了一款应用于L波段的宽带高效率e类功放．测试结果表明，在输入功率为28 dBm ，漏极偏置电压V DS ＝28 V ，栅极电压V GS ＝－3.3 V时，在整个L波段频率范围内漏极工作效率大于65％，最高达到83％，输出功率为39～41.1 dBm ，增益为11～13.1 dB ，增益平坦度为±1 dB ．这一结果验证了该改进方案的有效性，使得e类功放具有宽带宽、高效率的性能．

摘要：研制了2.14GHz频段横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管的高效率e类功率放大器。采用并联谐振法结合ADS软件仿真提取出管子的关键参数Cds,并在此基础上进行电路仿真,设计了馈电网络和负载匹配网络,有效抑制谐波分量。给出了功率放大器的实验结果,输出功率达到38.55dBm时,附加效率达到64.1%,与仿真结果吻合良好。

摘要：e类功率放大器（PA）具有设计简单和高效率的优点,然而频率较高时功率管的寄生输出电容大于e类功率放大器所需的电容,这个寄生输出电容导致e类功率放大器的效率降低。提出一种高频e类功率放大器的设计方法,使用负载牵引得到考虑寄生输出电容后的最佳负载阻抗,再结合谐波阻抗控制方法设计e类功率放大器。采用飞思卡尔的横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）功率管MRF21010设计了一款工作在930~960 MHz的e类功率放大器。测试数据表明,该功率放大器的输出功率为36.8 d Bm（4.79 W）,具有79.4%的功率附加效率。

摘要：为了解决功率放大器调试工作复杂的问题以及提高其效率,选用型号为CGH40010F的GaN HeMT晶体管,设计了一款e类功率放大器,利用电容和微带线进行匹配,并在漏极偏置加入一个T型L-C电路消除输出电容对最大工作频率的限制。提高了其灵活性的同时,也提升了它在高频时的效率。在ADS软件中进行设计并仿真,根据市场需求最终选定频率为2.1 GHz,所得到的最大效率为73.5%,输出功率值为40 dBm。经过实测,最大效率为70.8%,在此情况下获得的输出功率值为39.5 dBm。并与近几年的e类功放性能进行比较,很明显在保证了高频率的前提下拥有更先进的性能,说明了实验的方法是可行的,此外,设计的e类功率放大器有着更加灵活的优势。

摘要：使用ADS(Advanced Design System)软件仿真设计了基于28-V MOSFeT器件的VHF频段30 MHz～80 MHz e类开关模式高效率功率放大器。输入端使用了宽带匹配,输出端通过开关改变后端的匹配电路和滤波器。电路实测:30 MHz～80 MHz输出功率3.2 W～7.1 W,效率从30 MHz的71.4%到80MHz的52.5%,并且具有优良的调幅线性度,可以将其应用到eeR发射机。

摘要：基于0.25μm GaN HeMT设计了一种工作于C波段、结构简单、宽带高效的e类功率放大器。针对单片微波集成电路(MMIC)功率放大器设计中射频扼流圈所占面积较大且难以实现的问题,采用有限元直流馈电电感替代扼流圈电感,抑制晶体管寄生参数C_(ds)对最高工作频率的影响,并采用低Q值混合参数匹配网络,将功率放大器电路输入输出的最佳阻抗匹配到标准阻抗50Ω。版图后仿真结果表明,在4.1~4.9 GHz工作频段内,功率附加效率为51.309%~58.050%,平均增益大于11 dB,输出功率大于41 dBm。版图尺寸为2.7 mm×1.4 mm。

摘要：为了解决e类功率放大器最大工作频率(fmax)受晶体管输出电容限制的问题,提出了一种新型的e类功率放大器输出匹配电路结构.该结构能够同时实现对晶体管在基波和谐波下的过剩输出电容进行补偿,一方面提升了e类功率放大器在高频工作时的效率,另一方面也降低了电路的复杂度和实现难度.利用所提出的方法,采用GaN HeMT器件,设计并实现了工作在2.5 GHz的e类功率放大器.测试结果表明,其最大功率附加效率(PAe)达到80%,饱和输出功率为40.1 dBm.

摘要：为了使e类放大器工作效率最大,需要得到并联电容的确切数值。分析了含线性并联电容e类放大器的和含非线性晶体管寄生输出电容e类放大器的不同特性,给出了不同的设计方法。指出了e类功率放大器设计过程中分析和计算并联电容的难点,阐述了e类功率放大器中并联电容对电路性能的影响,同时给出了考虑并联电容的e类功率放大器的设计方法。

摘要：并联电路e类功率放大器(PA)具有结构简单和高效的优点,因而被广泛应用。针对并联电路e类PA存在带宽较窄、效率较低的问题,对其输出匹配网络提出了一种改进方案。采用混合式π型结构作为PA的输出匹配网络,在较宽的工作带宽内完成了最佳阻抗与标准阻抗的转换,有效地抑制了二次谐波分量,提高了电路的效率。为了验证所提出理论的有效性,基于0.25μm GaN HeMT工艺设计了一种结构简单、高效率和高功率的单片集成e类功率放大器。版图后仿真结果表明,在2.5~3.7 GHz工作频率范围内,输出功率大于40 dBm,功率附加效率为51.8%~63.1%。版图尺寸为2.4 mm×2.9 mm。