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Design and analysis of 20 Gb/s inductorless limiting amplifier in 65 nm CMOS technology
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《Journal of Semiconductors》2014年 第10期35卷 91-97页
作者:何睿 许建飞 闫娜 孙杰 边历嵌 闵昊Department of Microelectronic Fudan University Jinan Ruitong Electric Service LTD 
A high speed inductorless limiting amplifier (LA) in an optical communication receiver with the work- ing speed up to 20 Gb/s is presented. The LA includes an input matching network, a four-stage 3rd order amplifier...
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