摘要：质子轰击中等质量靶核是产生kev能区单能中子的一种常用方法。选择45Sc(p,n)45 Ti反应中子源作为kev能区单能中子参考辐射场的中子源,利用FloWizard软件模拟大束流条件下核反应靶的温度分布,分析了影响靶温度分布的主要因素。利用Target程序模拟核反应靶出射中子能谱,分析了不同材料的散射中子本底。同时精细调节5SDH-2加速器端电压,测量了薄靶(Sc)的激发曲线,测量结果与NPL和PTB的接近。

摘要：由于大多数中子探测器在kev能区处于共振能区,截面数据无法精确已知,无法作为中子注量率测量初级标准装置。6 Li在kev能区的截面精确已知,本文以此设计了一种包含6 LiF转换体的硅半导体探测器系统(LiF-SSD探测器),建立了kev能区中子参考辐射场中子注量率测量初级标准装置。利用SRIM和TRIM程序估算了LiF-SSD探测器的计数率;基于Geant4开发了探测器响应计算程序,给出了中子能量为27.4kev的探测器脉冲幅度计算谱;利用45Sc(p,n)45 Ti反应,测量了27.4kev中子能量点的探测器脉冲幅度谱,测量结果与理论计算谱符合较好。