摘要：基于180 nm BCD工艺制备出一种p型注入增强型p-i-n结构的单光子雪崩二极管(SpAD)探测器。采用p型漂移区与高压n+埋层之间的低掺杂浓度p型外延层作为i层深结雪崩区,提高了近红外波段的光子探测概率(pDp)。利用低掺杂浓度的p型外延层作为虚拟保护环,防止了器件横向击穿,降低了暗计数率(DCR)。测试结果表明,虚拟保护环宽度(GRW)为5μm时,器件雪崩电压为56 V。在5 V过偏压下600 nm处的峰值pDp为41%,在901 nm的近红外波段下pDp大于6%,DCR为0.56 s^(-1)·μm^(-2),后脉冲率小于1.2%,表现出良好的电学和光学特性。所提出的SpAD器件为硅基高灵敏度近红外单光子探测器设计提供了一种可选的解决方案。

摘要：研究了i-Ga n和p-Ga n厚度对背照射和正照射p-i-n结构Ga n紫外探测器响应光谱的影响。模拟计算发现:对于背照射结构,适当地减小i-Ga n厚度有利于提高探测器的响应,降低i-Ga n层的本底载流子浓度也有利于提高探测器的响应;p-Ga n的欧姆接触特性好坏对探测器的响应影响不大,适当地增加p-Ga n厚度可以改善探测器性能。而正照射结构则不同,i-Ga n厚度对探测器的响应度影响不大,但欧姆接触特性差将严重降低探测器的响应,适当地减小p-Ga n厚度可以大幅度改善探测器的响应特性。能带结构和入射光吸收的差别导致了正照射和背照射探测器结构中i层和p层厚度的选择和设计不同。

摘要：多晶Si薄膜对可见光进行有效地吸收、光照稳定性好、制作成本低,被公认为是高效率和低成本的光伏器件材料。以提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率为主线,介绍了增大晶粒尺寸以增加载流子迁移率、进行表面和体内钝化以减少复合中心、设计p-i-n结构以增加光收集效率、制作绒面结构以提高对入射光的吸收效果、改进电池结构以谋求最大效率等工艺措施;综述了近5年来多晶Si薄膜电池在材料生长、结构制备和性能参数方面取得的最新进展,并对其发展前景做了预测。