摘要：为了研究高频隔离型准Z源逆变器的内在特性及Z源网络各器件对其动态性能的影响。对高频隔离型准Z源逆变器在电流连续模式下,采用状态空间平均法对该逆变器直流侧建模,再利用小信号扰动获得控制与输出的传递函数,为高频隔离型准Z源逆变器设计控制策略提供理论依据。由于传递函数存在右半平面零点,说明逆变器具有非最小相位输出的特性。利用控制与输出的传递函数研究高频隔离型准Z源无源组件对系统零极点的影响,进而研究对系统动态性能的影响。通过saber软件进行仿真验证所建立模型的正确性和分析的合理性。

摘要：根据OLED特点及封装要求,基于saber仿真软件设计了半导体激光器电源。根据设计指标,分析半导体激光器电源Buck电路变换器工作过程,计算了所需的电路元件;再根据计算结果,基于saber仿真,验证设计的合理性,借助其强大的仿真功能节省了人力物力,缩短了电源的开发周期。从仿真结果分析,实际设计的变换器输出稳定,达到设计指标,满足OLED封装要求。

摘要：全桥逆变电路作为大功率变换器的主要拓扑形式,其功率开关管工作的可靠性对电路的稳定运行具有关键性的作用。针对高压电源IGBT全桥逆变主电路专用驱动模块M57962L隔离供电的问题,设计了具有11绕组,9路隔离输出的反激式开关电源。详细介绍了反激变压器的设计方法以及基于三端集成稳压器TL431与线性光耦PC817的二阶环路补偿网络,包括磁芯的选取、匝数、线径、原边电感、气隙的计算以及环路补偿网络的理论分析与saber仿真分析。仿真分析与样机测试结果表明:该电路设计有效,输出电压稳定,纹波小于100 m V,负载调整率高,在驱动源头上解决了IGBT运行的可靠性问题。

摘要：为适应产品RFID对小型化,可集成化电源模块的需求,设计一款基于电流型PWM控制芯片UC3842的反激式开关电源。分析了反激式开关电源工作原理,使用响应快速控制精确的隔离输出反馈接法,详细介绍了周边缓冲电路,接地以及在占空比大于50%时为稳定电流震荡而采用的斜率补偿设计。分析了输入滤波器的输出阻抗和变换器的输入阻抗的关系以及可能因此产生的震荡。设计经过理论分析进行优化,采用saber仿真,PCB设计基于RFID板进行优化。调试结果以及和RFID的联合调试结果表明,设计的单端反激式开关电源具有体积小、纹波小、输出稳定等优点。

摘要：针对反激电源主开关管关断时候的电压应力过大和变压器气隙漏感导致的电压尖峰过大的问题,对双管反激电源的拓扑结构及工作原理进行了详细分析,构建了双管反激电源工作在DCM模式时的能量传递模型,论证了变压器匝比与变压器原边漏感的磁复位时间及最大占空比和回馈能量大小的关系,推导出了双管反激电源主要参数的通用设计公式;利用其设计公式,设计了一个实际工作于DCM模式的30 W双管反激电源,同时利用saber仿真软件,研究了双管反激电源的主开关管、副边整流二极管和原边续流二极管的工作电流。仿真结果表明:变压器匝比参数选择合适,充分削弱了通过续流二极管回馈的能量,电源工作稳定。将仿真结果与实验样机所测结果进行了比较,结果显示两者基本吻合,说明设计公式可用作双管反激电源主要参数的设计工具。

摘要：高强度聚焦超声(HIFU)功率源直接影响HIFU治疗的有效性和安全性。受功率MOSFET极间电容和导通电阻等寄生参数的影响,基于E类功率放大电路的HIFU功率源实际工作特性常偏离理想条件下的理论设计值。在理论设计的基础上,结合功率MOSFET等效电路模型,采用saber软件对HIFU功率源的E类放大电路进行仿真,得到了放大器最佳工作状态时的谐振回路参数。实验测试表明,优化后的功率源工作效率和特性有显著的提高。

摘要：针对一种对称型双向LLC谐振变换器进行原理分析以及参数优化设计,可降低功率开关器件通断时产生的损耗。首先采用基波近似(FHA)的方法分析了变换器的工作原理,得出变换器的直流增益特性曲线。通过分析负载情况以及寄生参数对开关管ZVS和ZCS特性的影响,设计合理的品质因数和谐振参数,以确保负载变化范围内变换器不会进入容性工作区域。最后在saber仿真软件下搭建双向LLC谐振变换器仿真模型,通过仿真结果与理论分析的分析对比,验证了参数优化设计的可行性和准确性。

摘要：针对部队装备的电源启动车电路结构复杂、逆变系统体积重量大等问题,提出基于双Buck电路的启动车电源逆变系统设计。双Buck电路实质由两个单相Buck电路组成,作为三相交流输出电源的主电路拓扑结构,逆变系统设计利用SPWM控制双Buck电路传递函数,并用saber软件仿真验证双Buck电路工作模式。

摘要：将离子推力器电源处理单元(PPU)屏栅电源拓扑作为研究对象,结合国内外屏栅电源发展现状,提出了双全桥零电压开关(ZVS)技术、移相\脉宽调制控制结合的设计方法。该方法的优点是在满足离子推力器屏栅电源多电压输出的需求基础上,实现零电压开关(ZVS),提高运行效率,增大功率密度。文中分析了该拓扑的原理,同时利用saber软件对电路进行分仿真和分析。仿真结果表明,文中所设计的屏栅电源拓扑能在宽范围输入电压(80~160 V)下实现宽范围输出电压(500~1200 V),并保持ZVS状态,符合屏栅电源宽范围、高压大功率的工作特点,满足其工作指标。

摘要：信号设备的改进对信号电源提出电磁兼容的要求,因此满足特定的电磁兼容标准技术的引入成为必要。主要介绍DSZL系列信号直流电源为满足相关电磁兼容规定进行的优化改进措施。