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检索条件"主题词=si1-xGe"
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基于si/si_(1-x)Ge_x/si异质结双极性晶体管的微波功率器件电流密度的数值拟合计算
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《真空电子技术》2005年 第1期18卷 24-27页
作者：张乒 曾健平 文剑 田涛湖南大学应用物理系湖南长沙410082 
采用异质结双台面双极型结构设计微波功率器件,选择si作发射区和集电区,si1-xgex合金作基区的n p n型异质结双极性晶体管,利用数学方法,通过实验数据,采用MATLAB得到了一个比线性化更精确的禁带宽度Eg在300K时关于Ge组分变化的方程。并...
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