摘要：由于trench结构在降低元胞单元尺寸、提升沟道密度和消除JFET区电阻等方面的优势,trench型MOSFET已广泛应用于低压产品领域。在研究抗辐射机理和抗辐射加固技术的基础上,设计了一款新型抗辐射trench型N30VMOSFET器件。实验结果显示,产品击穿电压典型值达42V,特征导通电阻为51mΩ·mm^(2)。在^(60)Co γ射线100krad(Si)条件下,器件阈值电压漂移仅为-0.3V,漏源漏电流从34nA仅上升到60nA。采用能量为2006MeV、硅中射程为116μm、线性能量传输(LET)值为75.4MeV·cm^(2)/mg的^(118)Ta离子垂直入射该器件,未发生单粒子事件。

摘要：The design method for a high-voltage SOI trench LDMOS for various trench permittivities, widths and depths is introduced. A universal method for efficient design is presented for the first time, taking the trade-off between breakdown voltage （BV） and specific on-resistance （Rs, on） into account. The high-k （relative permittivity） dielectric is suitable to fill a shallow and wide trench while the low-k dielectric is suitable to fill a deep and narrow trench. An SOI LDMOS with a vacuum trench in the drift region is also discussed. Simulation results show that the high FOM BV2/Rs, on can be achieved with a trench filled with the low-k dielectric due to its shortened cell-pitch.

摘要：在原有的超结trench VDMOS技术的基础上引入部分埋氧层,设计了一种新型的部分埋氧的抗辐照超结沟槽功率器件。在Sentaurus TCAD软件环境下,使用SDE和Sdevice仿真模拟,通过调节部分埋氧层的长度,埋氧深度以及厚度等参数,对其耐压,导通电阻,动态特性以及抗辐照能力进行仿真和分析。当埋氧层深度为0.8 μm,埋氧层长度0.4 μm,其耐压相对于传统的超结trench VDMOS提高了10%, Vgate=4.5V时Rdson为7.74E4 Ω·μm,器件抗辐照能力大大提高。

摘要：简单介绍了trench MOSFET的基本结构和工作原理.以漏源耐压75伏器件为例,详细的讨论该类器件的设计方法.依据一定的器件电参数指标,给出了相应的一套完整的结构设计数据.从外延片的选择到各类纵向和横向结构参数的确定都给出了具体的计算方法和最终结果.

摘要：逆导型沟槽场终止绝缘栅双极型晶体管(RC trench FS IGBT)是一种新型的功率半导体器件,具有成本低、体积小、可靠性高等优点。设计并实现了一款1 200 V逆导型沟槽FS IGBT。重点研究了逆导型绝缘栅门极晶体管(RC IGBT)特有的回扫现象,以及如何从结构设计上消除回扫现象,其次,对RC IGBT在不同的载流子寿命下,进行了开关特性、反向恢复特性的仿真。研究结果发现随着载流子寿命的降低,其开关时间、反向恢复特性都有一定程度的改善。依据器件的最优化设计进行了流片。测试结果验证了不同设计对电流回扫现象的影响,以及不同少子寿命下导通特性和反向恢复特性的变化规律,器件的性能得到优化。

摘要：在长达一个月时间的征程中,纽约、伦敦、米兰、巴黎竞相上演新一幕的霓裳风暴。也许今日的时尚已经不是简单地重复过去,清楚地将年轮分野,混合着各个时代、各种风格的 KEY LOOK 向那些时尚编辑们喧嚣出多元的真谛。

摘要：意法半导体的先进的V系列600V沟栅式场截止型(trench-gate field-stop)IGBT具有平顺、无拖尾电流的关机特性,饱和电压更是低达1.8 V,最大工作结温高达175℃,这些优点将有助于开发人员提高系统能效和开关频率,并简化散热设计和电磁干扰(EMI)设计。

摘要：国际整流器公司（IR）推出 IRLR7833及 IRLR—7821两款 HEXFET 功率 MOS-FET,它们以最新的条形沟槽（Stripe—trench）技术设计,为当今 D—pak 封装市场上通态电阻(RDS（on）最低的30 V MOSFET。两款新器件专为同步降压变换电路而设计,适用于服务器、台式和笔记本电脑,以及网络和通信设备中的负载点（Point—of—load）变换器。IR LR7833还可用于隔离式变换器的副边同步整流。与同类直流一直流变换器 MOSFET相比,这两款 MOSFET,能将效率提高到25%或节省25%的元件数目。与上一代器件相比,IRLR7833的通态电阻降低了50%,特别适用于同步 MOSFET 应用;IRLR7821的栅电荷则降低了30%多,为理想的控制 MOSFET。两款新器件的额定栅电压均达到20 V,因此更加坚固耐用。

摘要：意法半导体（STMicroelectronics,简称ST）推出全新M系列1200 V IGBT,以先进的沟栅式场截止技术（trench-gate fieldstop）为特色,有效提升太阳能逆变器（solar inverters）、电焊机（welding equipment）、不间断电源（uninterruptible power supplies）与工业电机驱动器等多项目标应用的能效和可靠性。