摘要：波导结构具有传输损耗低、功率容量大的特点。本文提出了一种基于波导结构功分器/合成器设计方法,并利用CST2014软件设计了一款x波段8路波导功分器/合成器。仿真与测试都显示其性能良好,在整个x波段插损小于0.05dB,反射损耗大于15dB,中间大部分频段（8.8~12.2GHz）反射损耗优于20dB。

摘要：本文介绍了具有噪声系数小,增益高,带内平坦的x波段低噪声放大器的设计。

摘要：交叉耦合型阶跃阻抗滤波器以阶跃阻抗谐振器(SIR)作为基本谐振单元,不仅具有小体积、易集成、带外抑制度高等特点,而且因为耦合谐振在阻带引入了有限传输零点,提高了过渡带陡度,增加了滤波器的选择性。文章介绍了交叉耦合SIR带通滤波器的基本理论和设计方法,并在理论基础上结合HFSS软件设计了一个x波段交叉耦合型SIR带通滤波器。通过给出仿真结果,验证了交叉耦合型SIR带通滤波器的性能优点和小型化优势。

摘要：大多数调频连续波(FMCW)雷达系统都是基于单片毫米波单片微波集成电路(MMIC)实现的,而x波段集成度如此高的MMIC却几乎没有。文中基于实际应用需求,从需求分析、方案选择、系数工作参数选择和软件流程设计等方面详细阐述了FMCW雷达的设计过程,基于此研发了一款x波段FMCW雷达系统,并进行了实物测量和指标验证。试验结果表明,雷达系统指标满足应用要求,系统设计方案有效可行,设计思路和方法具有指导性,为小型FMCW雷达系统设计提供了新的参考思路,具有较大的工程意义和实用价值。

摘要：采用低噪声再生式分频技术,设计了低噪声x波段再生式分频组件。首先研究讨论了再生式分频的噪声理论,分析了有源器件对于近载波噪声和远载波噪声性能的影响。接着设计制作了两级锗硅HBT放大器、混频器、微带结构带通、带阻滤波器和功率分配器,其中低1/f锗硅HBT放大器首次应用于低噪声再生式分频器的设计。最后对分频组件进行了测试,测试结果良好,在近载波相位噪声性能改善6dB;在远载波白噪声段,噪声小于-165dBc/Hz。测试结果与理论计算结果吻合良好,达到了低噪声的设计要求。

摘要：为了提高相对论速调管放大器的工作频率、输出功率以及转换效率,结合三重轴相对论速调管和多注速调管的特点,采用三维电磁粒子模拟软件分析与设计了工作在x波段的长脉冲同轴多注相对论速调管放大器,通过优化设计有效地抑制了x波段长脉冲相对论速调管放大器的自激振荡,避免了脉冲缩短现象的产生,使x波段相对论速调管放大器在长脉冲状态下能够稳定工作,在注入微波功率为70 kW、束压为600 kV、束流为5 kA、轴向引导磁感应强度为0.8 T的条件下,输出微波功率达到了1.23 GW,效率为41%,增益为42 dB.

摘要：文章描述了x波段脉冲耿氏二极管、微波电路、脉冲调制器结构和设计原理以及脉冲耿振荡器的研制结果:在9～10GHz范围内,脉冲功率一般值为5～9W,最佳值10.8W,最大效率为5.5%,最大工作比为1%.

摘要：频率选择表面(frequency selective surface,FSS)的研究中,小型化设计一直是研究的热点内容之一,小型化单元结构可以很好地增加FSS的稳定性.文章利用液晶材料给出一种基于三层互耦结构的可调谐FSS单元的设计,为了将每个单元的金属结构连接起来,添加了集总元件来馈电.结果表明,该结构单元尺寸相当于工作波长的1/16,连续可调谐范围可达11.3%.本文所设计结构具有小型化和可调谐的特性,为FSS的设计提供了新的设计思路,具有一定的理论指导意义和实用价值.

摘要：基于0.25μm Ga As赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了一款可工作在脉冲和连续波条件下的x波段高性能大功率放大器（HPA）。根据Ga As材料的导热特性和热分布特点,设计了能够在连续波条件下工作的功率器件,并提取了器件的EEHEMT可定标模型参数。HPA原理图设计采用低损耗高效率母线拓扑结构,并基于最优效率原则优化了HPA各级阻抗匹配参数。对HPA容易出现的几种稳定性问题进行了分析,并在设计过程中采取了相应的防范措施。采用电磁场仿真技术优化设计的HPA芯片尺寸为3.5 mm×4.0 mm。在栅源电压为-0.7 V,漏源电压为8 V,工作频率为9～10 GHz的条件下,连续波输出功率达到12 W以上,功率附加效率大于45%,在9.6 GHz时功率附加效率达到50%。

摘要：设计并制作了一种x波段的电容式RFMEMS开关。该开关在共面波导上的悬空金属膜桥的支撑梁呈螺旋结构,其等效电感值高达134pH,有效降低了”关”态的谐振频率。结合开关的等效电路模型,使用AgilentADS软件以及理论公式计算对该开关进行了设计和优化。与传统桥膜电容式开关相比,所介绍的开关”关”态隔离性能得到了很大提高。利用表面微机械工艺,在高阻硅衬底上制备了开关样品。x波段MEMS开关的在片测试结果表明:驱动电压为9V,“开”态的插入损耗约0.69dB@11.6GHz;“关”态的隔离度约27.7dB@11.6GHz。