摘要：前HAMNWs制备工艺尚未成熟,存在组分偏差、结构无序、形貌不均等问题,阻碍了其基本物理性质的研究和功能器件的应用设计。当前已有的HAMNWs制备方法包括扩散驱动退火法、模板辅助法、化学合成退火法、分子束外延法、静电纺丝法、电沉积法等,这些方法各有其优势和缺陷。其中,SBA-15模板辅助的化学合成退火法制备的HAMNWs组分精确、结构高度有序,但该模板与AAO模板相比,孔道均一性相对较差,导致纳米线形貌均一性和有序性较弱;分子束外延法可以实现纳米线以原子级精度生长,然而,其制备设备昂贵、操作复杂,难以推广普及;扩散驱动退火法主要针对二元核壳型HAMNWs,而对于三元HAMNWs,其适用难度较大;静电纺丝法对组分和结构的控制较好,但对纳米线的形貌均一性控制较弱,整体呈纤维状;电沉积法制备的纳米线形貌均一可控,但对于含有难共沉积元素的合金纳米线,其组分和结构控制都较差。本文综述了HAMNWs的制备方法,详细对比了各种方法的优缺点;重点针对直流、脉冲、交流电沉积法制备过程中不同的生长机理进行了讨论,并在此基础上分析了纳米线生长过程中各种因素的影响与调控。同时还对纳米线的基本物理性质和磁性参数进行了归纳总结,最后对未来HAMNWs的制备及应用发展进行了展望。

摘要：随着信息技术的高速发展,开发超高速、低能耗、超高集成度的功能器件成为了自旋电子器件的历史使命。反铁磁材料,因其太赫兹级超高频特征以及无杂散磁场的优势,有望成为下一代自旋电子学材料的有利候选。然而,本征反铁磁材料的磁性检测及其操控方面仍存在一定的难度,因此限制着反铁磁材料在信息技术领域中的应用与发展。近年来,稀土/过渡金属(RE/TM)多层膜体系备受人们的关注。由于其内部存在界面反铁磁耦合使其宏观上表现出微弱的磁性却仍保留着内部铁磁特征,有利于器件小型化以及其集成设计,且容易探测其内部磁化状态的变化,是目前最有利于自旋电子学应用的材料候选之一。本文介绍了基于RE/TM多层结构的人工反铁磁薄膜材料研究进展,着重分析了基于Gd和Tb的RE/TM多层膜体系的物理性质和内部反铁磁耦合的机制。最后,结合其物理学特征展望了RE/TM多层结构人工反铁磁薄膜材料的研究前景。

摘要：研究了由单铜辊真空熔融纺丝技术制备的扁平带状铁基磁性非晶态合金Fe(85-x)CoxTi7Hf6B2(x=20, 30, 35,原子分数)的电学特性。这种软铁磁性非晶合金与其他含FeCo类合金一样,当Co含量达到30%附近时其饱和磁化强度会呈现最大值。尽管如此,体系中Co含量的改变并没有对这种铁基非晶合金的磁性能产生较大的影响。值得注意的是,在这种铁基非晶合金体系中Co含量的改变可导致其电学特性发生显著的转变。比如:当Co含量为20%时,其电阻温度系数为负值,表现出类似于半导体的电阻温度特性和P型半导体的电学特性;然而,当Co含量增加到30%和35%时,其电阻温度系数则转变为正值,呈现出类似一般金属导体的电阻温度特性。不仅如此,根据该非晶合金中各组成元素的电负性和电离势揭示了Co含量可调控载流子(空穴)浓度的物理机制,为新型铁基非晶合金材料的设计提供新方法。