摘要：介绍了BCD(bipolarCMOSDMOS)的工艺原理、特点和发展前景。对BCD工艺兼容性进行了说明,着重阐述了LDMOS的工艺原理和关键工艺设计考虑。文章结合应用,指出BCD工艺朝着高压、高功率、高密度三个主要方向分化发展,并对BCD工艺的最新进展作了概述。对电源管理和显示驱动这两大市场驱动进行了分析,并对国内企业进入该领域所面临的机会与挑战作了阐述与展望。

摘要：主要研究1200 V IGBT器件的性能优化方法。理论分析了IGBT结构参数与其主要性能的关系,按1200 V IGBT器件击穿电压和饱和压降的设计要求,重点讨论了FS、JFET注入、延长JFET退火时间和减小Pring注入剂量对IGBT器件击穿电压(BV)和饱和压降(Vdson)的影响,最终得到了满足器件设计要求的最佳性能参数。

摘要：有两种不同的双极晶体管NPN和PNP,NPN发射极emitter的工艺控制决定了晶体管的结深,在双极性晶体管制造工艺中是非常重要的,发射结的深浅和工艺质量决定了双极性晶体管的很多重要参数,如晶体管的放大能力,相关耐压的高低,漏电大小,是NPN晶体管应用的重要表征参数。在NPN工艺过程中,同时也可以形成emitter发射区(SN)在base基区(SP)的SP挤压电阻,该电阻值比较大,基本上在高阻KΩ级别。该电阻可以表征在工艺过程中NPN管base基区的控制和emitter发射区在base基区中推进的最终结深,是NPN管常规监控的一个重要参数,在启动电路中和大电阻设计需要中有着普遍的应用。有时SP pinched电阻的敏感度对于emitter发射区在base基区的结深和浓度表征高于NPN晶体管的相关电压和漏电测试,因此也常常设计来监控NPN制造工艺。研究NPN管制造工艺中发射极的SOD技术,为解决产品问题提供指导。

摘要：以小型PLC控制器为主控制单元,配合启停按键,液位传感器,电磁阀,电动机等辅助元器件设计自动供液系统。该系统能够实现自动配置冷却清洗液,供应倒角机使用。改进后的系统节省配液时间、提高清洗质量,进而延长倒角机载台寿命,提高设备使用率和产品的良率,降低维护成本。

摘要：功率场效应晶体管应用广泛,其阈值电压和导通电阻是其重要的参数。针对不同栅氧厚度的产品设计不同的多晶硅厚度实验来寻找最佳工艺条件,最终找到了阈值电压产品和导通电阻的最佳多晶硅厚度条件。

摘要：随着集成电路产业的不断发展,性价比高的集成电路已是集成电路制造商所追求的目标。在集成电路日益普及的今天,新产品开发项目越来越多,同时对测试提出了越来越高的要求。文章所叙述的名为"烧断式三端稳压电源"芯片测试开发,因为该芯片需要通过测试过程烧出各种电压值,故"测试"在这里已不是常规意义上的测试,而是工艺的延续,是完成芯片功能的关键一步。由于在该芯片上可烧出不同的电压值,因此该芯片用途广,需求量大。文中着重介绍了测试设计,硬件制作及软件编写过程。

摘要：采用0．35μm工艺设计制造了新型UMOS功率器件，芯片集成了数千个UMOS沟槽并使之并联，以获得高的击穿电压和大的工作电流．研究发现，沟槽深度对器件的工艺参数及其导通电阻、漏电流、阈值电压、击穿电压等电学性能都有影响，且最终影响量产中的良率．实验表明，在相同的工艺条件下，沟槽深度为1．65μm（试验范围为1．60～1．95μm）时，Ф200mm晶片的良率可达98％以上，器件导通电阻约8．2mΩ，源漏击穿电压稳定在34V以上，正常工作电流可达5A，开启电压和漏电流也稳定在要求范围内．